Вопросы к экзамену по курсу «Полупроводниковые ключи и силовые модули в преобразовательных устройствах» (полупроводниковые ключи, полупроводниковые приборы, диоды, биполярные транзисторы)

Вопросы к экзамену по курсу «Полупроводниковые ключи и силовые модули в преобразовательных устройствах»

1.  Основные типы полупроводниковых ключей, применяемых в схемах силовой электроники.

2.  Максимальные эксплуатационные параметры силовых полупроводниковых приборов.

3.  Область безопасных режимов полупроводниковых приборов.

4.  Особенности работы полупроводниковых приборов на комплексную нагрузку.

5.  Защита полупроводниковых приборов при их работе на комплексную нагрузку.

6.  Переходный процесс включения диода.

7.  Переходный процесс переключения диода.

8.  Расчет потерь мощности в диоде при его работе в импульсном режиме.

9.  Основные типы современных быстродействующих диодов.

10.  Мощный биполярный транзистор: особенности конструкции, максимальные напряжения.

11.  Область безопасных режимов биполярного транзистора.

12.  Области работы мощного биполярного транзистора.

13.  Зависимость коэффициента b от тока.

14.  Переходные процессы в простейшем транзисторном ключе.

15.  Мощный составной транзистор Дарлингтона.

16.  Работа ключа на биполярном транзисторе в схеме с дросселем: режим прерывистых токов.

17.  Работа ключа на биполярном транзисторе в схеме с дросселем: режим непрерывных токов.

18.  Работа ключа на биполярном транзисторе с трансформаторным выходом: режим прерывистых токов.

19.  Работа ключа на биполярном транзисторе с трансформаторным выходом: режим непрерывных токов.

20.  Недостатки ключей на мощных биполярных транзисторах.

21.  Мощные МДП-транзисторы: структура и принцип действия.

22.  Максимальные параметры мощного МДП-транзистора. Область безопасных режимов.

23.  Статические характеристики МДП-транзистора.

24.  Паразитные емкости МДП-транзистора.

25.  Упрощенный расчет ключа на МДП-транзисторе.

26.  Расчет времен переключения ключа на МДП-транзисторе.

27.  Работа МДП-транзистора на индуктивную нагрузку.

28.  Эффект du/dt в МДП-транзисторе.

29.  IGBT: структура и принцип действия.

30.  Максимальные параметры IGBT.

31.  Статические характеристики IGBT.

32.  Динамические характеристики IGBT.

33.  Современное состояние IGBT.

34.  Структура и принцип действия тиристора в отсутствие тока управления.

35.  Структура и принцип действия тиристора при подаче тока управления.

36.  Максимальные параметры тиристора.

37.  Включение тиристора током управления на активную нагрузку.

38.  Включение тиристора током управления на комплексную нагрузку.

39.  Эффект du/dt в тиристоре.

40.  Выключение тиристора подачей обратного анодного напряжения.

41.  Выключение тиристора током управления. Запираемые тиристоры.

42.  Тиристоры GCT и IGCT.

43.  Полевые тиристоры MCT.

Составил:

Лектор дисциплины                                                         Калимуллин Р.И.

Согласовано:

Зав. кафедрой ПЭ                                                   Голенищев-Кутузов А.В.