Применение IGBT с более высокой частотой переключения в совокупности с микропроцессорной системой управления в преобразователях частоты снижает уровень высших гармоник, характерных для тиристорных преобразователей. Как следствие меньшие добавочные потери в обмотках и магнитопроводе электродвигателя, уменьшение нагрева электрической машины, снижение пульсаций момента и исключение так называемого «шагания» ротора в области малых частот. Снижаются потери в трансформаторах, конденсаторных батареях, увеличивается их срок службы и изоляции проводов, уменьшаются количество ложных срабатываний устройств защиты и погрешности индукционных измерительных приборов.
Преобразователи на транзисторах IGBT по сравнению с тиристорными преобразователями при одинаковой выходной мощности отличаются меньшими габаритами, массой, повышенной надежностью в силу модульного исполнения электронных ключей, лучшего теплоотвода с поверхности модуля и меньшего количества конструктивных элементов [3].
Транзисторные модули содержат два, четыре, шесть или семь транзисторов в одном корпусе. Каждая пара в таких модулях включена по схеме двухтактного усилителя и имеет диоды, шунтирующие коллектор и эмиттер при воздействии ЭДС самоиндукции. В состав модуля также входит узел, защищающий его и управляемое устройство от чрезмерных токов, перегрева и от выхода напряжения питания за пределы нормируемого диапазона. Выполненные по интегральной полупроводниковой или гибридной технологии, в едином технологическом процессе вместе с самими IGBT-транзисторами, такие элементы обладают более высокой надежностью, нежели IGBT-транзисторные модули и защитные цепи, сформированные на печатном узле из дискретных элементов [5].
В качестве нагрузки возьмем 17 асинхронных двигателей 5АИ 180 S2 с короткозамкнутым ротором с параметрами:
| Номинальная мощность | 22 кВт | 
| Номинальное напряжение | 220/380 В | 
| Скольжение | 4 % | 
| Частота вращения (синхронная) | 3000 об/мин | 
| КПД | 90,5 % | 
| cos φ | 0,9 | 
| φ | 30 град | 
Произведем расчет Т-образной схемы замещения двигателя (рисунок 5).

Рисунок 5 - Т-образная схема замещения двигателя
При номинальном режиме
 ,
,
 А.
 А.
Результаты опыта короткого замыкания
Pk = 25 кВт, Ik = Iн, Uk = 55B.
 ,
,
 Ом,
 Ом,
 ,
,
 Ом,
 Ом,
 ,
,
 Ом.
 Ом.
 Ом,
 Ом,
 Ом,
 Ом,
 мГн.
 мГн.
Результаты опыта холостого хода
P0 = 12,5 кВт, I0 = 153 А, U0 = Uн.
 ,
,
 Ом,
 Ом,
 ,
,
 Ом,
 Ом,
 ,
,
 Ом.
 Ом.
 Ом,
 Ом,
 Ом,
 Ом,
 мГн.
 мГн.
Сопротивление фазы двигателя
 Ом.
 Ом.
 Ом,
 Ом,
 Ом,
 Ом,
 ,
,
 мГн.
 мГн.
По результатам расчетов выберем полумостовой IGBT-модуль MG800J2YS50A (2 транзистора) фирмы TOSHIBA с параметрами
| Напряжение коллектор-эмиттер VCES, В | 600 | 
| Ток коллектора IC, А | 800 | 
Для управления модулями возьмем трехфазный мостовой драйвер IR2133 с параметрами
| Напряжение, В | 600 | 
| Время вкл/выкл, нс | 750/700 | 
| Время паузы, нс | 250 | 
Рассмотрим принцип действия схемы при наличии нулевого провода, при этом трехфазная мостовая схема АИН превращается в три однофазные полумостовые независимые схемы. Поясним принцип ШИМ на примере однофазного инвертора напряжения в фазе А, получающего питание от источника постоянного напряжения, образованного выпрямителем и фильтром с двумя одинаковыми конденсаторами (рисунок 6).

Рисунок 6 – Структура однофазного инвертора с ШИМ
Активно-индуктивная нагрузка включена между средней точкой источника и точкой соединения электронных ключей 1 и 4, образованных IGBT-транзистором и диодом обратного тока. На вход системы управления подается синусоидальный сигнал управления uу и треугольное опорное напряжение uоп. Эти сигналы сравниваются компаратором: если uу > uоп, то на выходе компаратора напряжение +Um, иначе 0. Затем полученный сигнал подается на электронные ключи: на ключ 1 – непосредственно, на ключ 4 – через инвертор. Таким образом, если uу > uоп, то замыкается ключ 1 и к нагрузке прикладывается напряжение +0,5Ud, если uу < uоп, то замыкается ключ
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.