Активные элементы электронных схем. Схемы включения транзисторов. Параметры биполярных транзисторов

Страницы работы

15 страниц (Word-файл)

Содержание работы

2. АКТИВНЫЕ   ЭЛЕМЕНТЫ   ЭЛЕКТРОННЫХ   СХЕМ

2.1. Общие сведения

При проектировании электронных схем в зависимости от назначения и вида применяемого каскада могут использоваться биполярные или униполярные  (полевые) транзисторы, а также электронные лампы. Так как транзистор, являющийся элементом электрической цепи, представляет  собой трехполюсник,  то один из  его электродов входит во  входную и выходную  цепи. В зависимости от этого различаются три способа включения транзисторов (Рис.2.1) и  по наименованию общего электрода соответствующая схема  носит название: 

           с общей базой (ОБ),    с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК).

При любом способе включения в цепь входного электрода включается источник управляющего сигнала Ег, а в цепь выходного электрода нагрузочный резистор R, с которого снимается выходной сигнал.

Аналогично для полевых транзисторов различаются схемы включения с общим затвором (ОЗ), общим истоком (ОИ) и общим стоком (ОС), а для электронных ламп – схемы с общим катодом (ОК), общим анодом (ОА) и общей сеткой (ОС).   

Рис.2.1 Схемы включения транзисторов

Применение той или иной схемы включения диктуется конкретными условиями работы каскада. Наибольшее распространение получили схемы включения с общим эмиттером (истоком) и с общим коллектором (стоком). Схемы включения с общей базой, а также с общим затвором или с общей сеткой используются в основном при необходимости достижения малого уровня собственных шумов.

          2.2. Параметры транзисторов

Для непосредственного расчета статического и динамического режимов работы каскада усиления требуется использование собственных низкочастотных и высокочастотных параметров транзисторов. 

2.2.1. Параметры биполярных транзисторов

Для биполярных транзисторов собственными низкочастотными параметрами являются значения коэффициентов передачи тока базы a = DIк / DIб  или эмиттера b = DIк / DIэ, объемного сопротивления базы r’б, дифференциального сопротивления эмиттерного перехода  rэ = j т / Iэ= 0.026 / Iэ, К высокочастотным параметрам относятся граничная частота усиления для соответствующей схемы включения Fa (схема с общей базой), Fb (схема с общим эмиттером) или  предельная частота усиления Fт, емкости коллекторного Ск и эмиттерного переходов Сэ

В практических расчетах в большинстве случаев используются параметры транзистора, представленные в одной из систем четырехполюсника.  При этом из шести возможных систем уравнений четырехполюсника применяют в основном две - системы H и Y  параметров. Эквивалентные схемы транзистора в названных системах  параметров приведены на рис.2.2.

Рис.2.2. Эквивалентные схемы транзистора в системе четырехполюсника

Уравнения для указанных систем четырехполюсника, по которым построены эквивалентные схемы, приведены ниже:

                                         U1 = H11I1 + H12U2;

                                                    I2 = H21 I+ H22 U2                                                (2.1)  или

                                         I= Y11 U1 + Y12U2;

                                                     I2 = Y21 U1 + Y22 U2.                                              (2.2)

Входящие в уравнения 2.1 и 2.2 параметры “Н” и “Y”  имеют определенный физический смысл:

H11 =  ∆U1 /  ∆I1 - входное сопротивление;        Y11 = ∆I1 / ∆U1 - входная проводимость;

          H12 = ∆U1 / ∆U2   и 

Y12 = ∆I1 /∆U2  - коэффициенты внутренней обратной связи;

          H21 = ∆I2 / ∆I1  - коэффициент прямой передачи входного тока;

          Y21 = ∆I2 / ∆U1 = S - крутизна транзистора;

          H22 = ∆I2 / ∆U2   и  

Y22 = ∆I2 / ∆U2 - выходная проводимость.

Параметры транзистора, представленного в системах четырехполюсника и рассчитанные с помощью физических эквивалентных схем (рис.2.3),   

Рис.2.3. Физическая эквивалентная схема транзистора,      включенного по схеме с общим эмиттером

имеют связь с его физическими параметрами, справедливые для соответствующей схемы включения:

                                            H11э = rб + rэ ⋅ (B+1);

                                         H11б = rэ + rб ⋅ (1 - α);

                                         H21э =  B;

                                         H21б = a;                                                                (2.3)

                                H22э = (B+1) / rк;                                            H22б = 1 / rк.

Также  имеется связь и между  "H" и "Y" параметрами:

                      Y11 = 1 / H11;                               Y12 = H12 / H11;

                                         Y21 = H21 / H11;                                                                             (2.4)

                                         Y22 = 1 / H22.

Похожие материалы

Информация о работе