Активные элементы электронных схем. Схемы включения транзисторов. Параметры биполярных транзисторов, страница 3

                                              HH21 ⋅=21max H21min .                                               (2.10)

Емкость эмиттерного перехода, необходимая для расчета входной емкости усилительного каскада может быть определена по формуле

                     Cбэ = (2p ⋅⋅rFa э¹⋅ H21 +)1 ,                                                                                               (2.11)

а полная входная емкость усилительного каскада с общим эмиттером равна  C_вх +=_r^t _'       C_к ⋅ К_о.                                                           (2.12)

б

Объемное сопротивление базы r_б’ можно определить по взятому из справочника значению постоянной обратной связи транзистора t_ос = (С_кr_б’). 2.2.2. Параметры полевых транзисторов

Основными параметрами полевых транзисторов являются:

I_сн - ток стока насыщения (ток стока при U_зи = 0);

U_отс - напряжение отсечки (напряжение U_зи, при котором Ic=0);     S = DI_с / DU_зи - крутизна транзистора;

           R_i =DU_си / DI_с - внутреннее сопротивление;

           F_т = 1 / (2pC_зи) - предельная частота усиления;

 С_зи, С_зс, С_си  - внутренние емкости;  F_т - предельная частота усиления. 

Полная входная емкость каскада с общим истоком равна

                                        С_вх = С_зи +С_зсК_о.                                                 (2.13)

          Ток стока транзистора подчиняется следующему закону:

                                                                                     U       ².                                            (2.14)

                                                     I_c ⋅=I_cн 1(+ _U ^зи )

отс

На рис.2.5. приведены проходная I_c=j (U_зи) и выходная I_c=j (U_си) типовые характеристики для одного из видов полевого транзистора, по которым также можно определить крутизну S и внутреннее сопротивление R_i, а в случае необходимости и коэффициент усиления m = S R_i.

Рис.2.5. Статические характеристики полевого транзистора

Сводные данные о параметрах транзисторов для различных схем включения представлены в таблице.

                                                                                                              Таблица

Основные параметры транзисторов

Параметр	Схемы включения транзисторов
	ОЭ	ОИ	ОК	ОС
Ku	SRн		SRн / (1+SRн)
Ki	B	-	1+B	-
Rвх	H11	Rз	H11+(B+1)Rэ	Rз
Rвых	rk / (1+B)	Ri	Rэ + R’б / (1+B)	1/S
Cвх	Сбэ + Ск (1+К)	Сзи + Сзс (1+К)	(Ск + Сбэ) / (1+SRн)	Сзс + Сзи (1-К)
Свых	СкS r’б	Сси	Ск	Сси

Приводимые в справочниках или определенные по характеристикам параметры транзистора справедливы для конкретного  режима (тока коллектора I_ко (стока I_со), напряжения между электродами U_ко или U_co). Поэтому если используемый режим работы транзисторов отличается от типового (измерения), то их значения  необходимо пересчитать для конкретного рабочего режима  (тока I’_ко и U’_ко):

-для биполярного транзистора:

I ' II^коко' ,   С_к'⋅=C_{к U}Uко^ко_' ;   (2.15) SS'⋅= ^ко ,  tt'⋅=

I

ко

-для полевого транзистора

S ⋅=^2Iсн     ^Uзи ^{2 Icн} ⋅  ^I           .                                      (2.16) 1(−       ) =

U U U _со отс отс отс

Данное выражение справедливо для рабочего участка выходной характеристики (в нелинейной области).

 2.3 Составные транзисторы

Составные транзисторы (схемы Дарлингтона) используются в схемах, где требуются повышенные значения коэффициента передачи входного тока и входного сопротивления. Составные транзисторы можно рассматривать как два каскадно-соединенных транзистора (рис.2.6.), каждый из которых включен по своей схеме. При подборе составных транзисторов необходимо второй транзистор выбирать более мощным, так как выходной ток первого является входным для второго.