Федеральное агентство связи РФ
Сибирский Государственный Университет
Телекоммуникаций и Информатики
Кафедра ТЭ
Лабораторная работа №3
«ВВЕДЕНИЕ В СРЕДУ ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО
МОДЕЛИРОВАНИЯ TCAD»
Выполнил:
гр. Р-73
Проверила:
Новосибирск 2010
1.1 Цель работы
Ознакомиться с приборно-технологическим моделированием полупроводниковых микро- и наноструктур в среде пакета TCAD, изучить инструментарий и основные модули. Овладеть навыками пользования в среде TCAD.
1.2 Краткие теоретические сведения
1.2.1 Общие сведения о TCAD
В настоящее время одним из итогов интенсивного развития численных методов математического моделирования в сфере систем автоматического проектирования (САПР) полупроводниковой элементной базы несомненно является программный пакет TCAD.
Термин «моделирование технологии с помощью компьютера» (Technology
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.