Основные понятия и определения электроники. Переходы металл-полупроводник и их свойства

Страницы работы

2 страницы (Word-файл)

Содержание работы

Вопросы к экзаменационным билетам по дисциплине «Электроника»

  1. Основные понятия и определения электроники. Краткая история и перспективы её развития. Классификация электронных приборов, основные принципы их действия и требования, предъявляемые к ним. 1-3
  2. Основные положения теории электропроводности твердых тел. Зонная теория. Процессы генерации и рекомбинации. Типы проводимости, собственная электропроводность полупроводника. Дрейфовые и диффузионные токи в полупроводниках. 3-6
  3. Донорные и акцепторные примеси, типы полупроводников, основные и неосновные носители. Уровень Ферми. Электрические переходы в полупроводниках: электронно-дырочные, симметричные и несимметричные, ступенчатые и плавные, гетеропереходы. 6-8
  4. Электронно-дырочные переход и его свойства при отсутствии внешнего поля, контактная разность потенциалов, потенциальная диаграмма, потенциальный барьер, распределение концентрации носителей. 9
  5. Электронно-дырочный переход и его свойства при воздействии прямого напряжения, инжекция носителей заряда, эмиттерная и базовая области. 10
  6. Электронно-дырочный переход и его свойства при воздействии обратного напряжения, экстракция носителей заряда. 11
  7. Переходы металл-полупроводник и их свойства. 12
  8. Вольтамперная характеристика р-n перехода. Уравнение Эберса-Молла. Тепловой ток, дифференциальное сопротивление и свойства перехода. Виды и причины возникновения пробоев р-n переходов. Емкости р-п-перехода. 13-16
  9. Основные технологические процессы изготовления р-n переходов.
  10. Полупроводниковые диоды. Условное обозначение, классификация, идеализированная и реальная вольтамперная характеристика, зависимость обратного тока от температуры. 16-18
  11. Вольтамперные характеристики кремниевого и германиевого диодов, влияние температуры. Эквивалентная схема диода. Особенности эквивалентной схемы для низких и средних частот. 17-18
  12. Выпрямительные и импульсные диоды. Их основные параметры. Диоды Шоттки. Особенности вольтамперных характеристик. 19, 21
  13. Стабилитроны. Вольтамперная характеристика, схема включения, условие стабилизации, работа с нагрузкой, основные параметры. Прецизионные стабилитроны. Стабисторы. 19-21
  14. Варикапы: схема включения и эквивалентная схема, вольт-фарадная характеристика, основные параметры и области применения. Туннельные диоды, генераторы шума, магнитодиоды, диоды Ганна. 22
  15. Светодиоды, фотодиоды и оптроны. Характеристики и области применения. 22-24
  16. Биполярные транзисторы, типы, принцип действия, коэффициент передачи тока эмиттера, эффект Эрли, пробои переходов, режимы работы. Параметры, характеризующие усилительные свойства транзисторов, входное сопротивление. Возможные схемы включения. 24-27
  17. Схема включения транзистора с общей базой. Основные свойства и вольтамперные характеристики. 27, 31
  18. Схема включения транзистора с общим эмиттером. Основные свойства и вольтамперные характеристики. 27-28, 30
  19. Схема включения транзистора с общим коллектором. Основные свойства и области применения. 29
  20. Статические вольтамперные характеристики транзисторов, нагрузочная прямая, рабочая точка, режимы работы. Влияние температуры. 29-31
  21. Модели биполярных транзисторов Эберса-Молла, общие аналитические выражения для токов транзистора. Малосигнальная физическая схема замещения интегрального транзистора на высокой частоте. 31-32

  1. Модель биполярного транзистора в виде активного четырехполюсника. Система Н - параметров. 33
  2. Модель биполярного транзистора в виде активного четырехполюсника. Система Y - параметров. 33, 34-35
  3. Частотные свойства биполярных транзисторов, предельные частоты усиления для схем ОБ и ОЭ, максимальная частота генерации, граничная частота усиления тока. Способы улучшения частотных свойств. 35-36
  4. Технология изготовления биполярных транзисторов.
  5. Полевые транзисторы: принцип действия, отличие от биполярных, схемы включения. Основные параметры, преимущества и области применения. 37, 40
  6. Устройство и принцип действия ПТ с управляющим p-n-переходом. Вольтамперные характеристики в схеме с общим истоком, основные параметры. 37-38
  7. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором: транзисторы со встроенным каналом. Вольтамперные характеристики и основные параметры. 38-39
  8. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором: транзисторы с индуцированным каналом. Вольтамперные характеристики и основные параметры. 38-39
  9. Тиристоры: принцип работы, вольтамперная характеристика, основные параметры и области применения.
  10. Интегральные микросхемы: классификация и их основные компоненты - транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы. Особенности активных и пассивных элементов интегральных микросхем.
  11. Приборы вакуумной электроники: основные определения и классификация. Электронные лампы, электронная и термоэлектронная эмиссия, эффект Шоттки, эмиссионный ток. Основные типы катодов, их устройство, достоинства и недостатки. 41-43
  12. Электровакуумный диод: принцип работы, закон степени трех вторых, режим насыщения, анодная характеристика, основные параметры. 43
  13. Электровакуумный триод: принцип работы, вольтамперные характеристики, формула Баркгаузена, основные параметры. 43-44
  14. Многоэлектродные электровакуумные лампы, устройство, принцип работы, достоинства и недостатки. 44-45
  15. Электронно-лучевые трубки с электростатическим управлением. Принцип устройства и работы, основные параметры и области использования.
  16. Магнитные электронно-лучевые трубки. Принцип работы, основные параметры, области использования.
  17. Оптические квантовые генераторы: физические основы, принцип работы, свойства лазерного излучения, основные типы и области применения.

Рекомендуемая литература:

  1. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. Учебное пособие для вузов. - М.: Высшая школа, 1991.-622 с.
  2. Миловзоров О.В., Панков И.Г. Электроника: Учеб. пособие для вузов. М.: Высшая школа, 2005. С. 288.
  3. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.: Энергоатомиздат,1989. - 352 с.
  4. Электронные приборы. Учебник для вузов / Под ред. Г.Г.Шишкина (В.Н Дулин., Н.А.  Аваев, В.П. Демин, Ю.Е. Наумов, А.З.Струков, Г.Г.Шишкин) - М.: Энергоатомиздат, 1989, 496 с.
  5. Гребен А.Б. Проектирование аналоговых интегральных схем. М.: Энергия, 1976.
  6. Элементы микросхем. Методические указания к лабораторным работам по курсу «Микроэлектроника» / Рязан. гос. радиотехн. акад.; сост. Г.В. Уточкин, Е.Ф. Петпов. Рязань, 2005. 36 с. (№3010)

Похожие материалы

Информация о работе

Тип:
Экзаменационные вопросы и билеты
Размер файла:
39 Kb
Скачали:
0