Дроссели - катушки индуктивности, включаемые в цепь переменного тока для увеличения ее сопротивления

4. ДРОССЕЛИ

Дроссели называются катушки индуктивности, включаемые в цепь переменного тока для увеличения ее сопротивления.

Выпускаются высокочастотные и низкочастотные. Низкочастотные дроссели в большинстве предназначены для сглаживания пульсаций выпрямленного тока. Высокочастотные дроссели применяются для создания электрических фильтров высоких частот, полосопропускающих и полосозадерживающих фильтров.

Основными параметрами дросселей являются:

·  Индуктивность L, Гн – зависит прямо пропорционально от объема и числа витков дросселя, для увеличения индуктивности в дросселя вводят ферромагнитные сердечники;

·  Добротность Q=2πfL/R – чем меньше активное сопротивление R, тем добротность и качество дросселя выше;

·  Собственная емкость С, пФ – паразитная емкость дросселя, сильно проявляет себя на высоких частотах, объясняется наличием изоляции между витками и слоями провода дросселя, ее уменьшают с помощью специальных форм каркасов и способами намотки провода;

·  Номинальный ток I, А – номинальный ток подмагничивания;

·  Максимальное значение переменного напряжения напряжениеU, В.

Маркируются дроссели: Д XX-YY-ZZ,

XX – серия, YY – индуктивность, ZZ – ток подмагничивания.

Например: Д-1-0,08-0,32.

Дроссели бывают с магнитодиэлектрическим сердечником (а), с ферромагнитным сердечником (б).         

                                              Др                                  Др а)                                  б)                                     

9. ВАРИКАПЫ

Варикап – полупроводниковый диод, в котором используется зависимость емкости р-п-перехода от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.

В качестве полупроводникового материала используется  кремний.

Применяются в системах дистанционного управления, автоматической подстройки частоты, в параметрических усилителях с малым уровнем собственных шумов.

Основные параметры: общая емкость, обратное напряжение, коэффициент перекрытия по емкости, постоянный обратный ток, добротность.

Маркируются КВ, 2В с тремя цифрами 101 – 199 для подстроечных и 201 – 299 для умножительных. Например: КВ101А, 2К102Г.

Условно-графическое изображение       Зависимость емкости от обратного напряжения

                                                                                                                                          С, пФ

Схема включения

       Uобр, В

13. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Р-П-Р –ТИПА

Биполярные транзисторы – электронные устройства предназначенные для усиления электрических сигналов. Имеют трехслойную структуру с чередующимися проводимостями, которые создают два р-п-перехода. Средний слой называется база (Б) – полупроводник п-типа, крайние – эмиттер (Э) и коллектор (К) –полупроводники р-типа. Самая большая область – эмиттер, является источником носителей заряда  База самый узкий слой и от этого зависит быстродействие транзистора. База управляет потоком зарядов идущих из эмиттера в коллектор. Коллектор принимает носители зарядов приходящих из эмиттера.

Переход база-эмиттер называется эмиттерный переход, переход база-коллектор называется коллекторный переход.

Для работы транзистора на эмиттерный переход подают напряжение Uэб в прямом направлении, а на коллекторный переход Uкб в обратном направлении. При такой подаче напряжения эмиттерный переход смещается в прямом направлении и носители заряда устремляются в область базы, тем самым создается ток эмиттера Iэ. Часть электронов эмиттера  соединяются с дырками базы, создавая небольшой ток базы Iб (т.к. в базе намного меньше дырок, чем электронов в эмиттере). Но большая часть электронов, из-за малой толщины базы, достигают коллекторного перехода, захватываются электрическим полем коллектора и принудительно втягиваются в коллектор, тем самым создавая ток коллектора Iк.

Таким образом изменяя электрический потенциал на базе транзистора можно регулировать (увеличивать или уменьшать) токи Iэ и Iк:

Iэ = Iк + Iб.

Коэффициент передачи тока:

α = Iк/ Iэ ≈ 0,9 – 0,995

Коэффициент усиления тока:

h₂₁= Iк / Iб = 1/(1- α) >> 1.

Биполярный транзистор может работать в трех режимах:

·  Отсечки – транзистор полностью закрыт

·  Насыщения – транзистор полностью открыт

·  Активный режим – режим усиления, между отсечкой и насыщением.

Основными параметрами являются: напряжение насыщения коллектор-эмиттер, обратный ток коллектор-база, максимальное напряжение коллектор-база, максимальное напряжение коллектор-эмиттер, максимальный ток коллектора, максимальная мощность коллектора, граничная частота.

Маркируются германиевые ГТ (1Т), кремниевые КТ (2Т). Например: КТ361А.

Имеют три схемы включения: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК). Схема с ОБ является усилителем напряжения, схема с ОК еще называется эмиттерный повторитель представляет усилитель тока, схема с ОЭ получила наибольшее распространение т.к. является усилителем мощности.

Входные статические характеристики: Iб = f(Uбэ), при Uкэ = const.

Выходные статические характеристики: Iк = f(Uкэ), при Iб = const.

Схемы включения: