Исследование биполярного транзистора. Проверка усилительных свойств транзистора

Министерство образования Российской Федерации

Санкт-Петербургский Государственный горный институт

Кафедра электроники.

Лабораторная работа №2.

Тема: «Исследование биполярного транзистора».

                                                                           Выполнил: студент Павлов Р.Д.

                                                                           Группа:  АПМ-01

                                                                           Проверил: доцент Стороженко Г. А.

                                                                           Дата:__________

Санкт-Петербург

2003

1.  Теоретические сведения:

Транзистор – полупроводниковый пробор, имеющий 2 p-n перехода и 2 вывода. Один электрод, на который напряжение подается в прямом направлении, носит название эмиттера, ближайший к нему p-n переход – эмиттерным. Промежуточный электрод называется база, а крайний – коллектор, ближайший к нему p-n переход коллекторным.

2.  Электрическая схема:

3. Таблицы измерений:

2.1.Снятие входной ВАХ

2.2. Снятие входной ВАХ

2.3. Снятие Выходных ВАХ биполярного транзистора.

4. Графики характеристик:

4.1. Входные ВАХ при  и .

4.2. Выходные ВАХ биполярного транзистора.

5.  Расчет .

5.1. , как ниже показано – входное сопротивление динамически изменяется.

5.2. , коэффициент усиления по току изменяется при изменении подаваемого напряжения.

6.  Выводы:

В этой лабораторной работе проверяются усилительные свойства транзистора. Как видно из выше приведенных графиков коэффициент усиления по току зависит от подаваемого напряжения на транзистор – уменьшаясь при увеличении подводимого напряжения. Как и в первой лабораторной работе – входное сопротивление транзистора падает при увеличении входного напряжения.