2. Анализируя зависимость выходного тока от температуры транзисторов, можно сделать вывод, что при изменении температуры транзистора VT2 величина выходного тока остается постоянной, а при изменении температуры транзистора VT1 на 65ºС выходной ток изменяется всего на несколько десятков микроампер. Эта величина очень незначительная, поэтому можно говорить о температурной стабильности выходного тока и о том, что выходной ток в большей степени зависит от внешних параметров схемы, чем от параметров транзисторов. Температурная стабильность выходного тока обусловливает широкое применение генератора стабильного тока на двух транзисторах с отрицательной обратной связью(ООС) по току (через резисторы) в аналоговых микросхемах.
3. При замене одного из транзисторов на транзистор большей или меньшей мощности величина выходного тока не изменяется, если внешние параметры схемы (напряжение питания, напряжение стабилизации) остаются постоянными. Это говорит о стабильности выходного тока и о том, что выходной ток зависит от внешних параметров схемы, определяющих величину задающего тока, а не от параметров транзисторов, что обусловливает широкое применение схемы во многих устройствах электронной аппаратуры и в аналоговых микросхемах.
4. Стабильность выходного тока и независимость его от сопротивления нагрузки в цепи выходного тока дает широкие возможности применения в качестве нагрузки ГСТ каскадов других усилителей, например дифференциальных усилителей, обеспечивая их стабильную работу.
5. Зависимость выходного тока от напряжения питания прямая и линейная. Такой простой вид зависимости дает возможность легко задавать нужные значения выходного тока с помощью напряжения питания, а не с помощью подбора транзисторов. Такая возможность очень ценна в плане подбора нужных значений выходного тока (который является задающим для каскадов в нагрузке ГСТ) для обеспечения нужного режима работы каскадов, например дифференциальных усилителей, в нагрузке ГСТ.
6. Сравнивая данную схему ГСТ со схемой ГСТ на одном резисторе и двух транзисторах, один из которых включен как диод (1), и со схемой ГСТ на трех транзисторах (2), можно сказать, что схемы (1) и (2) обладают большей температурной стабильностью тока из-за отсутствия резисторов в эмиттерных областях. Однако рассмотренная схема обладает большим коэффициентом отражения выходным током входного. Кроме того введение ООС через резисторы R1 и RЭ позволяет повысить стабильность выходного тока и сделать его зависимым от внешних параметров схемы, а не от параметров транзисторов. А т.к. доминирующими признаками для токоотводов являются точность отражения выходным током входного и стабильность выходного тока, то следует признать, что рассмотренная схема обладает лучшими свойствами, нежели схемы (1) и (2). Кроме того в рассмотренной схеме исключен тот недостаток, что для фиксации токов используют отношение площадей эмиттеров транзисторов, за счет введения ООС через резисторы R1 и RЭ. Это позволяет подбирать транзисторы не по размерам, а по параметрам с учетом их наиболее эффективной реализации в схеме.
Министерство образования РФ
Владимирский государственный университет
Факультет радиофизики, электроники и медицинской техники
Кафедра конструирования и технологии радиоэлектронных средств
Лабораторная работа №1
по дисциплине: «Схемотехника ЭС»
на тему:
«Синтез и расчет генератора стабильного тока на транзисторах»
Выполнила
Ст. гр. РЭ-101
Шульцева О.В.
Проверил
Калинин Е.А.
Владимир 2003.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.