Федеральное агентство по образованию РФ
Владимирский государственный университет
Лабораторная работа № 1
ИССЛЕДОВАНИЕ ВАРИКАПОВ
Проверил:
Цель работы: исследование взаимосвязи физических параметров и построение вольтфарадной характеристики германиевого варикапа.
Исходные данные:
Диэлектрическая проницаемость вакуума ;
Относительная диэлектрическая проницаемость германия ;
Абсолютная температура Т=270К;
Удельное сопротивление р-слоя при заданной температуре Ом/м;
Удельное сопротивление n-слоя при заданной температуре Ом/м;
Площадь перехода мм2;
Коэффициент перекрытия
Ход работы:
Так как удельное сопротивление n-области меньше, чем p-области то соответственно p-область база, а n-область эмиттер.
Ширина p-n перехода в равновесном состоянии определяется по формуле:
, (1)
где - высота потенциального барьера (B); Кл; Naи Nд – концентрации акцепторной и донорной примесей соответственно (м-3).
Заданная температура Т=270К относится к рабочей области температур, поэтому можно считать, что все атомы примесей ионизированы, а значит , . Тогда формула (1) принимает вид:
(2)
Высота потенциального барьера находится по формуле:
, (3)
где - температурный потенциал (B); - концентрации дырок в р-области и электронов в п-области соответственно (м-3); - концентрация собственных носителей (м-3).
мВ
Температурный потенциал для комнатной температуры (300K) примерно считают 25мВ. Т.к. температура меньше, то и потенциал должен быть меньше, что и получено.
Концентрации основных носителей определяются по формулам:
, , (4)
где и - подвижности дырок и электронов соответственно. В данном выражении пренебрегаем концентрацией не основных носителей заряда в соответствующих областях, так как основных носителей много больше.
Подвижности носителей зависят от ряда факторов, важнейшими из которых являются температура, концентрация примесей и напряженность поля. Зависимость подвижности от температуры объясняется механизмом рассеянья носителей, при этом рассеянье происходит как на узлах решетки, так и на ионах примеси. При рассеянье носителей на узлах решетки подвижность вычисляется по формулам:
, , (5)
где , - подвижности дырок и электронов соответственно при температуре 300К; Т0=300К; с(р)=2,33, с(п)=1,66 – для германия (в общем случае зависит от материала и типа проводимости). Тогда:
,
При рассеянье носителей на ионах примеси подвижность вычисляется:
, , (6)
Показатель 3/2 зависит от материала и типа проводимости. Итоговая подвижность равна наименьшей из полученных. Для германия при температурах больших 0 ºС меньшей оказывается проводимость при рассеянье на узлах решетки, а при температурах меньших -50 ºС оказывается меньше проводимость при рассеянье на ионах примеси. Т.к. исследуемая температура 270К=-3 ºС ближе к 0 ºС, чем к -50 ºС, то будем считать, что определяющей будет подвижность рассчитанная по формуле (5).
Подвижности носителей зарядов при уменьшении температуры увеличиваются, т.к. уменьшается вероятность их рассеивания на атомах германия в связи с уменьшением внутренней энергии атомов. Полученные значения подвижностей больше подвижностей при температуре 300К. Зависимостью подвижности от концентрации можно пренебречь т.к. концентрации примесей лежат в диапазоне 1021-1023 м-3, для больших концентраций зависимость носит сложный характер.
Тогда:
Полученные концентрации носителей заряда дают окончательно понять, что в данном диоде р – область является эмиттером, а п – область - базой, т.к. концентрация носителей в эмиттере на 2 порядка больше. Причем переход несимметричный. Зависимость концентраций носителей обратно пропорциональна удельному сопротивлению слоев, т.е. при его повышении концентрации будут уменьшаться, а значит будет изменяться высота потенциального барьера. Высота потенциального барьера определяется разностью концентраций одноименных носителей, и при одновременном уменьшении обеих концентраций ее изменение будет незначительно.
Концентрация собственных носителей определяется по формуле:
(6)
Ширина запрещенной зоны в германии рассчитывается по формуле:
(7)
, где -ширина запрещенной зоны в германии при нулевой абсолютной температуре (0,79 эВ), - температурная чувствительность (0,0004 В/ºС), Т- абсолютная температура (270 К для рассматриваемого случая). Тогда:
В
С ростом температуры ширина запрещенной зоны уменьшается например:
0К - 0,79эВ 270К- 0,682эВ 300К-0,67эВ
Концентрация собственных носителей определяется по формуле:
(8)
, где Nc – эффективная плотность уровней в зоне проводимости, а Nv –эффективная плотность уровней в валентной зоне. Nc и Nv Определяются по формулам:
(9)
, где mn и mp эффективные массы электрона и дырки соответственно. Для германия полагают, что Nc= 1019 см-3=1025 м-3 и Nv= 0,61·1019 см-3=0,61·1025 м-3 при температуре 300К.
Разрешенные зоны содержат огромное количество уровней (1022-1023), на каждом из которых могут находится электроны. Ncи Nv показывают количество эффективных уровней в соответсвующих зонах.
Но т.к. исследуемая температура 270К их значения необходимо пересчитать.
Использовать значения эффективных масс. mn=0.56m; mp=0.38m. для германия. Тогда формула (9) принимает вид:
Обычно для простоты считают, что . Nc= Nv, и эффективные массы практически равными массе электрона.
И формула (8) принимает вид:
или
Таким образом получили формулу (6) , где G=4.83·1021 м-3. Значение практически совпадают с приближенными вычислениями. Реальные же значения примерно1,57·1021 м-3., т.е. примерно в 3,18 раз меньше и Nc/ Nv=1,79, т.е. отличаются почти в 2 раза.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.