Электротехника \ Аналоговая и цифровая электроника

Проведение эксперимента исследования ГСТ по методике и сравнительный анализ полученных результатов

Страницы работы

Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.

Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.

Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.

Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.

Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.

Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.

Содержание работы

Министерство образования Российской Федерации

Владимирский Государственный Университет

Кафедра КТ РЭС

Лабораторная работа № 3

ПРОВЕДЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТА ИССЛЕДОВАНИЯ

ТОКОВОГО ЗЕРКАЛА

по дисциплине «Аналоговая и цифровая электроника»

Выполнил студент группы Р-199

Проверил

Владимир 2001

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Проведение эксперимента исследования ГСТ по методике и сравнительный анализ полученных результатов.

Исследовать следующие вопросы:

1. Измерить параметры ГСТ и сравнить их с расчетными.

2. Как влияет сопротивление в цепи тока I₀ на величину I₀?

3. Как влияют величины напряжений питания на величины задающих и выходных токов?

4. Как влияет разность температур Т₁, Т₂ на выходной ток I₀?

5. Как влияет замена одного из транзисторов (h_21э) на изменение тока I₀?

6. Провести сравнительный анализ полученных результатов для трех вариантов, дать теоретические объяснения получившихся зависимостей.

Рис.1.

Е1 = Е2 = 10 В

R1 = 9,1 кОм

Rэт = 500 Ом

Rн = 20 кОм

VT1 – VT3 = КТ315Б

2. РЕЗУЛЬТАТЫ ПРОВЕДЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТА

1. Измерение задающего тока I₁ и выходного тока I_0.

Таблица 1.

Напряжение питания

Е1 = Е2, В

Напряжение U_КЭ2, В

Выходной ток I₀, мА

Напряжение U_КЭ1, В

Задающий ток I₁, мА

9,45

1,10

0,66

1,03

2. Влияние сопротивления нагрузки Rн на величину выходного тока I₀.

Таблица 2.

Сопротивление нагрузки Rн, кОм	Напряжение U_КЭ2, В	Выходной ток I₀, мА	Напряжение U_КЭ1, В	Задающий ток I₁, мА
0	9,45	1,1	0,65	1,03
10	9,53	0,94	0,65	1,03
20	9,76	0,48	0,65	1,03

3. Влияние напряжения питания Е1 на величину задающего тока I₁.

Таблица 3.

Е1, В	12	11	10	9	8	7	6	5	4	3	2	1
U_КЭ2, В	9,33	9,39	9,45	9,50	9,57	9,62	9,68	9,74	10	10	10	10
I₀, мА	1,34	1,22	1,10	0,99	0,87	0,75	0,64	0,52	0	0	0	0
U_КЭ1, В	0,66	0,66	0,66	0,66	0,65	0,65	0,64	0,64	0,63	0,62	0,61	0,58
I₁, мА	1,25	1,14	1,03	0,92	0,81	0,70	0,59	0,48	0,37	0,26	0,15	0,05

4. Влияние напряжения питания Е2 на величину выходного тока I₀.

Таблица 4.

Е2, В	12	11	10	9	8	7	6	5	4	3	2	1
U_КЭ2, В	11,44	10,44	9,45	8,45	7,46	6,46	5,47	4,47	3,48	2,48	1,49	0,49
I₀, мА	1,13	1,12	1,10	1,09	1,08	1,07	1,06	1,05	1,04	1,03	1,02	1,01
U_КЭ1, В	0,66	0,66	0,66	0,66	0,66	0,66	0,66	0,66	0,66	0,66	0,66	0,66
I₁, мА	1,03	1,03	1,03	1,03	1,03	1,03	1,03	1,03	1,03	1,03	1,03	1,03

5. Влияние разности температур на Т₁, Т₂ на токи I₀и I₁.

Таблица 5.

Нагретый транзистор	Напряжение U_КЭ2, В	Выходной ток I₀, мА	Напряжение U_КЭ1, В	Задающий ток I₁, мА
VT1	9,94	0	0,6	1,03
VT2	7,13	5,75	0,66	1,03

6. Влияние замены одного из транзисторов (h₂₁_э) на изменение токов I₀, I₁.

Таблица 6.

Транзистор	Напряжение U_КЭ2, В	Выходной ток I₀, мА	Напряжение U_КЭ1, В	Задающий ток I₁, мА
VT1(КТ315А), VT2(КТ315Б)	10	0	0,20	1,08
VT1(КТ315Б), VT2(КТ315А)	3,76	12,47	0,29	1,07