б) установить частоту ГСС примерно равной частоте первого зеркального канала (fзк1=fс +∆fзк1, где ∆fзк1 =2•fпр – отстройка первого зеркального канала);
в) выходное напряжение ГСС увеличить примерно в 1500 раз и подстроить его по максимальному выходному напряжению приемника и форме кривой. Кривая должна иметь вид чистой синусоиды;
г) установить такую напряженность поля Езк1 , при которой напряжение на выходе приемника равно Uс вых ;
д) вычислить отношение Езк1/Eс и определить ослабление (избирательность) первого зеркального канала dзк1 в децибелах по таблице, приведенной в ПРИЛОЖЕНИИ:
dзк1=20•lg (Езк1/Eс) [дБ] .
4. Измерить избирательность приемника по второму зеркальному каналу по приведенной выше методике.
Измерение избирательности проводить на частоте помехи (fп=fс +2•fпр2 , где fпр2 = 465 кГц), которая в процессе первого преобразования частоты трансформируется на частоту второго зеркального канала fзк2=fпр1+2•fпр2:
fп +fг1 = (fс +2•fпр2) - fг1 = fпр1+2•fпр2 = fзк2
5. Измерить избирательность приемника по соседнему каналу.
Частоты соседних каналов fск=fс±∆fск , отстройка соседних каналов ∆fск = 100 кГц.
6. Определить экспериментально характеристику избирательности приемника
Ес вх/Eс вх о .
Кривая избирательности снимается при постоянном выходном напряжении приемника, соответствующем его чувствительности.
5.5 Амплитудная характеристика приемника
1. Составить структурную схему для определения амплитудной характеристики приемника.
2. Определить экспериментально амплитудную характеристику приемника в режиме «прием»:
Uс вых = f (Ес вх),
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.