Выбор полупроводниковых приборов для преобразовательных устройств, страница 3

Тепловое сопротивление переход-корпус - отношение разности температуры перехода и температуры корпуса к мощности потерь в приборе в установившемся режиме.

Тепловое сопротивление корпус прибора - контактная поверхность охладителя  - отношение разности температуры корпуса и температуры контактной поверхности охладителя к мощности потерь в приборе в установившемся режиме.

Переходное тепловое сопротивление переход-среда  - отношение изменения разности в конце интервала времени между температурой перехода и температурой окружающей среды к скачкообразному изменению мощности потерь в начале того же интервала времени, вызывающей изменение температуры.

Значения  для каждого полупроводникового прибора приведены в [2] в таблицах предельно допустимых параметров тиристоров и диодов. Значения  приведены в таблицах, характеризующих параметров диодов и тиристоров.

Значение  зависит от типа конкретного охладителя, используемого совместно с прибором. Значения  приведены в таблицах рекомендуемых охладителей и нагрузочной способности диодов и тиристоров.

Значение переходного теплового сопротивления  зависят от времени скорости охлаждающей среды, типа используемого совместно с прибором охладителя. Значения  в функции времени приведены в виде графиков также в [2] для различных скоростей охлаждающей среды и различных типов охладителей, используемых совместно с рассматриваемым полупроводниковым прибором.

Тепловое сопротивление  не приводится в справочной литературе. Оно может быть рассчитано по формуле:

.                                        (1.43)

Для выбора полупроводниковых приборов, кроме тепловых параметров, необходимо также знать следующие термины по основный электрическим характеристикам приборов.

Максимально допустимый средний прямой ток диода ()или максимально допустимый средний прямой ток тиристора в открытом состоянии () - максимальное усредненное по всему периоду значение прямого тока через диод или открытый тиристор при заданных техническими условиями температуре корпуса прибора  и максимально допустимой температуре перехода . Ток  нормируется для работы прибора в однофазной однополупериодной схеме выпрямления с активной нагрузкой при частоте 50 Гц, синусоидальной форме тока с углом проводимости 180 электрических градусов. Максимально допустимый средний прямой ток определяет предельную нагрузку прибора, т.е. тип прибора и указывается в его маркировке.

Повторяющееся импульсное обратное напряжение на тиристоре или диоде () - наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, включая все повторяющиеся, но исключая все неповторяющиеся напряжения.

Повторяющееся импульсное напряжение на тиристоре в закрытом состоянии () - наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая все повторяющиеся напряжения, но исключая все неповторяющиеся напряжения. Для тиристора ≈.

Повторяющиеся напряжения на диодах и тиристорах  и  нормируются для всего диапазона рабочих температур перехода, однополупериодных синусоидальных импульсов напряжения длительностью 10 мс и частотой 50 Гц. Данные напряжения определяют класс прибора и в сотнях вольт указываются в маркировке диодов и тиристоров.

Перечисленные параметры приводятся в справочной литературе [2], в таблицах предельно допустимых значений.

Пороговое напряжение диода () или тиристора () -значение прямого напряжения на диоде или значение прямого напряжения на открытом тиристоре, определяемое точкой пересечения линии прямолинейной аппроксимации прямой ветви вольтамперной характеристики с осью напряжения. Нормируется для предельной температуры перехода .