Выбор полупроводниковых приборов для преобразовательных устройств, страница 2

При маркировке тиристоров после обозначения класса ставится группа по критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, далее группа по времени выключения (для быстровключающихся группа по времени включения).

При маркировке быстродействующих тиристоров после группы по критической скорости нарастания напряжения указывается группа по времени выключения. Далее может указываться группа по времени включения.

Для приборов с ненормируемыми коммутационными параметрами (диодов и тиристоров общего применения) группы, характеризующие эти параметры отсутствуют.

В маркировке приборов, предназначенных для параллельной работы, после групп коммутационных параметров должны быть указаны пределы по импульсному прямому напряжению для диодов и импульсному напряжению в открытой состоянии для тиристоров.

Таким образом, в существующей системе обозначений и маркировок отражены все основные характеристики полупроводникового прибора, необходимые разработчику.

Например, обозначение Д151-160-5-1,25-1,35 соответствует диоду без нормируемых коммутационных параметров, первой модификации, с размером шестигранника под ключ 27 мм, с штыревым корпусом с гибким выводом, на максимально допустимый средний прямой ток 160 А прямой полярности (отсутствует в обозначении буква X), 5 класса с импульсным прямым напряжением от 1,25 до 1,35 В.

Обозначение ТБ133-250-8-52 соответствует тиристору быстродействующему, первой модификации, с таблеточным корпусом диаметром 73 мм, на максимально допустимый средний, ток в открытом состоянии 250 А, 8 класса, 5 группы по критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии (не менее 320 В/мкс), с временем выключения по второй группе (не более 50 мкс).

Классификация силовых полупроводниковых приборов и новая система их обозначений и маркировок более полно изложена в [2].

Параметры силовых полупроводниковых приборов делятся на две группы: предельно допустимые значения и характеризующие параметры. Допустимое значение - это значение любой электрической, тепловой, механической величины, относящейся к окружающей среде, определяющее условие, при котором ожидается удовлетворительная работа полупроводникового прибора.

Предельно допустимое значение - это допустимое значение, которое определяет либо предельную способность, либо предельное условие, за пределами которых прибор может быть поврежден.

Характеризующий параметр - значение тепловой, электрической или механической величины, которое характеризует соответствующее свойство прибора.

Предельно допустимые значения и характеризующие параметры для различных силовых полупроводниковых приборов приведены в [2].

Тип и класс полупроводниковых приборов выбираются такими, чтобы под действием протекающих через приборы токов в любом из предусматриваемое в разрабатываемой схеме режимах не было превышения температуры, предельно допустимой для полупроводниковой структуры. Превышение предельной температуры сопряжено с ухудшением характеризующих параметров полупроводниковых приборов, а также возможностью теплового разрушения структуры.

Для возможности анализа тепловых режимов полупроводниковых приборов необходимо знать следующие термины по их тепловые характеристикам.

Допустимая температура перехода  - эффективная эквивалентная температура полупроводниковой структуры (теоретическая допустимая температура, основанная на упрощенном представлении тепловых и электрических свойств прибора). Соответственно  - максимальная или предельно допустимая температура перехода.

Температура окружающей среды  - температура в заданной внешней контрольной точке, охлаждающей прибор.

Тепловое сопротивление переход-среда  - отношение разности температуры перехода и температуры окружающей среды к мощности потерь в приборе в установившемся режиме.