Исследование элактронных ключей на биполярном транзисторе

5 ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛАКТРОННЫХ КЛЮЧЕЙ НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

5.1 Цель работы

Изучения принципа действия статических и динамических характеристик, способов повышения быстродействия электронных кличей на биполярном транзисторе.

5.2 Ход работы

Собираем схему ключа без обратных связей и ускоряющих  конденсаторов, когда транзистор находится в режиме отсечки. Изображенной на рисунке  5.1.

Рисунок 5.1- Схема ключа без обратной связи

Для обеспечения режима отсечки на вход схемы подаем прямоугольное напряжение отрицательной полярности. Снимаем  осциллограммы для разных значений 1 мкс; 20 мкс изображены на рисунке 5.2

Рисунок 5.2- Осциллограммы 1 мкс; 20 мкс

Снимаем  значения амплитуды входного сигнала  минимальная , при которой  транзистор находится на границе насыщения средняя, при которой транзистор насыщается , и максимальная. Снимаем  осциллограммы для разных значений 10 мкс; 4 мкс; 3 мкс; 3 мкс;    изображены на рисунке 5.2

Рисунок 5.2-Осциллограммы

Исследуем влияние величины емкости ускоряющего конденсатора.

Снимаем  осциллограммы, изображены на рисунке 5.3

Рисунок 5.3-Осциллограммы

Исследуем влияние нелинейной обратной связи . Снимаем  осциллограммы, изображены на рисунке 5.4

Рисунок 5.4-Осциллограммы

Рассмотрим работу ключа при различных видах коллекторной нагрузки. Наблюдаем влияние её на условие насыщения. Снимаем  осциллограммы, изображены на рисунке 5.5

Рисунок 5.5-Осциллограммы

Рассчитываем значения:

=15/1000=0,015,А ;

В режиме отсечки:

Длительность переднего фронта:

 где

мкс; мкс;  мкс.

ВЫВОД

В данной лабораторной работе были  исследованы различные виды включения биполярного ключа. На осциллограммах наблюдали эпюры  входных и выходных амплитуд. Были сравнены теоретические и практические значения амплитуд и длительности, проследили  какими методами можно добиться более большого быстродействия при добавлении диода и идеальных фронтов.