Вопросы по Электронике

1) Биполярные транзисторы (БТ), их устройство, принцип работы, схема включения, режимы.

2) Токи в БТ в схеме с ОБ. Коэффициент передачи тока, уравнение выходного тока.

3) Токи в БТ в схеме с ОЭ. Коэффициент передачи тока, уравнение выходного тока.

4) Статические характеристики БТ в схеме с ОБ и ОЭ (входные и выходные).

5) Влияние температуры на работу БТ и его характеристики (в схеме с ОБ и ОЭ).

6) Предельные параметры режима БТ. Рабочая область выходных характеристик и влияние на нее температуры.

7) Дифференциальные параметры БТ. Системы параметров (Y, Н).

8) Определение Н-параметров по характеристикам.

9) Устройство и принцип действия ПТ с управляющим р-п-переходом. Статические характеристики.

10) МДП-транзисторы со встроенным каналом, их варианты. Устройство, работа, характеристики.

11) МДП-транзисторы с индуцированным каналом, их варианты. Устройство, работа, характеристики.

12) ПТ с барьером Шоттки, их устройство, особенности работы, характеристики.

13) Дифференциальные параметры ПТ, их определение по характеристикам. Прочие параметры ПТ.

14) Усилительный низко-частотный режим БТ. Постоянные и переменные составляющие токов и напряжений, коэффициенты усиления для различных схем.

15) Графический метод расчета параметров усилителя на БТ,

16) Особенности работы ПТ в усилительном режиме. Сравнение усилительных свойств БТ и ПТ.

18) Особенности работы БТ на ВЧ. Влияние времени движения зарядов. Векторные диаграммы токов. Зависимость коэффициентов передачи тока от частоты. Предельные частоты. Граничная частота.

19) Влияние емкостей и сопротивления базы на частотные свойства БТ. Максимальная частота усиления по мощности.

20) Методы улучшения работоспособности БТ на ВЧ. Дрейфовый транзистор.

21) Особенности работы ПТ на ВЧ. Основные факторы, влияющие на частотные свойства ПТ. Методы улучшения частотных свойств ПТ.

22) Работа БТ в импульсном (ключевом) режиме. Схемы простейших электронных ключей и их работа.

23) Переходные процессы при работе ключей на БТ. Временные параметры переключения.

24) Электронные ключи на МДП ПТ. Их работа.

25) ЦИМС, основные понятия и определения. Параметры и характеристики ЦИМС

26) Инвертор на БТ, схема, принцип работы. Инверторы на ПТ

27) ЦИМС ДТЛ. Схема базового элемента, схема работы, характеристики и параметры.

28) ЦИМС ТТЛ. Схема базового элемента, схема работы, характеристики и параметры.

29) ЦИМС ТТЛ со сложным инвертором. Особенности их устройства и работы.

30) ЦИМС ТТЛ с открытым коллекторным выходом. Схемы, назначение, особенности работы.

31) ЦИМС ТТЛ с тремя состояниями на выходе. Схемы, назначение, особенности работы.

32) ЦИМС ТТЛШ, особенности их устройства, работы и преимущества по сравнению с ТТЛ.

33) Логические элементы НЕ, ИЛИ-НЕ и И-НЕ на МДП ПТ одного типа. Схемы, принцип работы, параметры.

34) Логические элементы НЕ, ИЛИ-НЕ и И-НЕ на КМДП ПТ одного типа. Схемы, принцип работы, параметры.

35) ОУ. Структура ОУ. Назначение каскадов. Характеристики и параметры ОУ (идеального и реальных).

36) Дифференциальный усилитель. Схема, принцип работы и параметры.

37) Эмиттерный повторитель в составе ОУ. Схема, работа, назначение.

38) Инвертирующий усилитель на основе ОУ. Схема, работа, параметры.

39) Неинвертирующий усилитель на основе ОУ. Схема, работа, параметры. Повторитель напряжения на ОУ.

40) Сумматор и вычитатель на основе ОУ. Схема, работа, параметры.

41) Понятия о планарной технологии и групповом методе изготовления ИМС

42) Устройство и особенности изготовления:

а) пленочных ИМС

б) гибридных ИМС

в) ПП ИМС.

43) Основные элементы ГИМС (подложки, резисторы, конденсаторы, индуктивности, проводники и контактные площадки, навесные элементы)

44) Методы получения пленочных элементов нужной формы:

а) методы свободной и контактной маски;

б) метод фотолитографии.

45) Понятие о методах напыления тонких пленок.

46) Понятия об основных технологических процессах при изготовлении ИМС (изготовление подложек, диффузия, эпитаксия, окисление, металлизация, фотолитография), их назначение.

47) Планарно-эпитаксиальный БТ со скрытым слоем. Устройство, порядок изготовления.

48) Эквивалентная схема интегрального БТ. Паразитные элементы и их влияние на работу БТ.

49) Диоды ПП ИМС. Варианты их создания.

50) ПТ с р-п-переходом в составе ПП ИМС. Устройство, порядок изготовления.

51) МДП ПТ с индуцированным каналом в составе ПП ИМС. Устройство, порядок изготовления.

52) МДП ПТ со встроенным каналом в составе ПП ИМС. Устройство, порядок изготовления.

53) Диффузионные резисторы ПП ИМС. Варианты изготовления, параметры, эквивалентная схема.

54) Конденсаторы ПП ИМС на основе р-п-перехода. Устройство, параметры, эквивалентная схема. Оксидные (МДП) конденсаторы ПП ИМС. Устройство, параметры, эквивалентная схема.