Эксплуатационные характеристики микросхем. Условия эксплуатации микросхем, страница 5

при Rh = 2 кОм, Ек = 5,0+0,5 В............................................ 2,6

при Rh = 3,5 кОм, Ек = 6,3+0,7 В......................................... 3,4

при закороченных выводах 6,7

в режиме Х.Х.

при Ек = 5,0+0,5 Я................................................................... 5,5

при Ек = 6,3+0,5 В................................................................... 7,0

при Rh = 2 кОм, Ек = 5.0.+0,5 В........................................... 3,1

при Rh = 3,5 кОм,  Ек = 6,3+0,7 В........................................ 4,2

Низкий уровень напряжения, В,  не более........................ 0,4

Задержка положительного перепада им-

пулвсов,  нс,  не более............................................................ 50

Залержка отрицательного перепада им-                              

пульсов,  нс, не более.   70

Амплитуда ложного сигнала, В, не более.......................... 0,5

Вытекающий ток, мА, не более.

при Ек = 5,0+0,5 В.................................................................... 2,4

при Ек = 6,3+0,7 В.................................................................... 1,8

Ток потребления при закороченных выво­
дах 6-7, 2-3-4, мА:                                       

при Ек = 5,0+0,5 В.................................................................... 16,4

при Ек = 6,3+0,7 В........................................................ .   .  .20,8

ПРЕДЕЛЬНЫЕ  ЗНАЧЕНИЯ  ДОПУСТИМЫХ  ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ ПРИ ЭКСПЛУАТАЦИИ

Максимальная емкость нагрузки, пФ.................................. 70

Минимальное сопротивление нагрузки, кОм'.

при Ек = 5,0+0,5 Б....................................................................       2

при Ек = 6,3+0,7 В.................................................................... 3,5

Втекающий ток, мА, не более............................................... 13

Максимальное напряжение коллекторного

питания, В,................................................................................. 7,0

Минимальное напряжение коллекторного

питания, В.................................................................................. 4,5

Максимальная частота следования им­
пульсов, МГц........................................................................................... 3,0

Длительность импульсов,  нс,  не менее............................ 1ОО

Скважность, не менее.............................................................      2

длительность положительного перепада

импульсов, нс, не более ........................................................ 200

Максимальное значение высокого уровня

напряжения, В........................................................................... Ек

Уровни сигнала. В

высокий,  не менее................................................................... 2,4

низкий,    не более……………………………………          1,0

МИКРОСХЕМЫ.  УСИЛИТЕЛИ   ИМПУЛЬСНЫЕ   ПОЛОЖИТЕЛЬНОЙ ПОЛЯРНОСТИ 2УИ472,  ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ПОЛЯРНОСТИ 2УИ473

ГТО.342.004 ТУ

НАЗНАЧЕНИЕ

Микросхемы 2УИ472 и 2УИ473 предназначены для усиления импуль­сов длительностью 0,1-2,0 мкс с амплитудой до 1,0 В при Ек = 5,0В ■ до 1.88 при Ек = 10,0 В.

Микросхемы содержат инвертор,  прел назначенный для согласова­ния усилителей со входом логических микросхем.

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ

Входное сопротивление (по входу I), кОм, не менее:

при Ек =   5,0+0,5 В,     Uвx = 0,1-0,8 В............................     2,5

при Ек = 10,0+1,0 В,     Uвх = 0,1-1,5 В...........................     2,5

Входная емкость (по входу I), пФ, не более..................      25

Коэффициент усиления при Rн > 2,5 кОм (пв выходу 1),

при Ек = 5,0+0,5 В............................................................ 3,1+0,5

Ухудшение длительности фронта импульсов (по входу I)

при Сн<30пФ , нс, не более................................................ 30

Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики (по выходу I), %, не более:

при Ек = 5,0+0,5 В,       Ubx = 0,15+0,8 В.  ......    10
при Ек - 5,0^0,5 В,        Uвх = 0,15-1,5 В......................................... 30

Нестабильности коэффициента усиления (по выходу I) при DЕк +10%, диапазоне температур от минус 60 до плюс 85°С7   %, не более

при Ек = 5,0+0,5 В................................................................ 10

Длительность фронта выходных импульсов (по выходу 2) при втекающем токе 5 мА и Сн2= 100 пФ,  нc, не более

при Ек - 5,0+0,5 В................................................................. 300

Низкий уровень напряжения на выходе 2, В, не более

при Ек = 5,0+0,5 В................................................................ 0,4

Высокий уровень напряжения на выходе 2, В при Ек = 5,0+0,5 В:

при нагрузке на обший вывод, 2 кОм,  не менее............ 2,5

на холостом ходу, не более............................................... 5,5

Полярность выходных импульсов микросхемы 2УИ472 при Ек = 5,0+0,5 В:

на выходе I.......................................................... отрицательная

на выходе 2......................................................... положительная

Полярность выходных импульсов микросхемы 2УИ473 при Ек = 5,0+0,5 В:

на выходе I........................................................... положительная

на выходе 2......................................................... отрицательная

Ток потребления, мА, не более..................................... 6,5

Максимальный выходной втекающий ток                             

(по выходу 2), мА............................................................. 5,0

ПРЕДЕЛЬНЫЕ  ЗНАЧЕНИЯ  ОПУСТИМЫХ  ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ  ПРИ   ЭКСПЛУАТАЦИИ

Максимальная амплитуда входных импульсов, В:

при Rн >2,5 кОм, Ек = 5,0+0,5 В

вход 1.................................................................................. 1,0