Навесные компоненты. Установка, способы крепления и методы присоединения навесных компонентов в микросхемах, страница 2

Кроме диодных матриц, в конструкциях гибридных ИМС используют­ся миниатюрные и бескорпусные диоды. В качестве выпрямительных и импульсных диодов применяются кремниевые сплавные и диффузионные, а также арсенидогаллиевые меза-диффузионные структуры. Часть из них выпускается в бескорпусном варианте, остальные - в миниатюрных пластмассовых или металлостеклянных корпусах. Например, кремниевые сплавные диоды типов КД103А,Б   герметизируются   специальными   защитными покрытиями. Этот тип диодов применяют в схемах в качестве ключевых элементов с малой длительностью импульсов. Электрические параметры, конструктивные характеристики и предельные эксплуатаци­онные данные некоторых типов миниатюрных диодов приведены в табл. 3.10.

В гибридных ИМС, предназначенных для усиления и генерации элек­трических сигналов, в качестве навесных компонентов используются ми­ниатюрные туннельные и обращенные диоды. В зависимости от полупро­водникового материала, на базе которого выполнен прибор, туннельные и обращенные диоды подразделяются на германиевые и арсенидогаллие­вые. Основные электрические параметры, конструктивные характеристи­ки и предельные эксплуатационные данные миниатюрных туннельных и обращенных диодов приведены в табл. 3.11.

В оптоэлектронных гибридных ИМС в последнее время широко ис­пользуются миниатюрные и бескорпусные светодиоды. Промышленностью выпускаются арсенидогаллиевые эпитаксиальные бескорпусные светодио­ды типа АЛ109А и фосфидогаллиевые эпитаксиальные бескорпусные светодиоды типов АЛ301А,Б.

В ряде случаев в качестве источников инфракрасного излучения с длиной волны 0,95 мкм в микросхемах нахо­дят применение светодиоды типов АЛ103А,Б. Основные световые и элек­трические параметры, конструктивные характеристики и предельные экс­плуатационные данные миниатюрных и бескорпусных светодиодов приве­дены в табл. 3.12.

Габаритные чертежи рассмотренных в настоящем параграфе миниа­тюрных и бескорпусных диодов показаны на рис. 3.19.

Миниатюрные корпусные и бескорпусные транзисторы и транзистор­ные матрицы. Электрические параметры и конструктивные характеристи­ки некоторых типов миниатюрных и бескорпусных транзисторов и тран­зисторных матриц, применяемых в гибридных ИМС, приведены в табл. 3.13, а габаритные чертежи показаны на рис. 3.20 и рис. 3.21, а - в. В табл. 3.13 приняты следующие условные обозначения: f_т - предельная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером; U_{к-б max}- макси­мально допустимое напряжение коллектор - база; I_{к max} - максимально допустимый ток коллектора; С_К - емкость коллекторного перехода; h_21Э - коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером; Р_{К max}  - мощность, рассеиваемая транзистором. Цоколевка транзисторов  показана на габаритных чертежах. Транзисторы типов КТ119 А, Б явля­ются однопереходными.

Бескорпусные транзисторные матрицы аналогично диодным состоят из нескольких элементов. Например, матрица типа К1НТ291 состоит из двух транзисторов и используется преимущественно при создании высокостабильных балансных схем, в которых требуется идентичность пара­метров и температурных зависимостей транзисторов. Бескорпусный инте­гральный прерыватель типа К7КТ431 состоит также из двух транзисто­ров, имеющих общий коллектор. Подобный прерыватель применяется чаще всего в устройствах коммутации. В пределах данного типа прерыва­тели отличаются напряжением питания. Так, для прерывателей К7КТ431А,Б напряжение питания  ±6,3 В, а для К7КТ431 В, Г — ±3 В. Матрицы типов К7НТ761, К7НТ762 и К.7НТ763 различаются только коли­чеством входящих в каждую матрицу транзисторов.

В бескорпусном исполнении выпускаются и полевые транзисторы. В настоящее время в микросхемах используют кремниевые планарные полевые транзисторы типов КП201 Е, Ж, И, Л. Их габаритный чертеж представлен на рис. 3.20, с, а основные электрические параметры и пре­дельные эксплуатационные данные приведены табл. 3.14. Указанные транзисторы имеют структуру с р-n-переходом и каналом р-типа. Напряжение на стоке транзистора отрицательное относительно истока, а на затворе — положительное. Транзисторы данного типа рекомен­дуется использовать при температуре окружающей среды - 40...+85°С. В микросхемах подобные транзисторы устанавливают по вари­анту 1

Кроме указанных типов полевых транзисторов, в настоящее время промышленностью выпускаются бескорпусные спаренные полевые тран­зисторы типа КПС202. Эти структуры включают по два бескорпусных транзистора, установленных на общей подложке размером 1x2 мм. Отли­чаются структуры тем, что в пару подбираются транзисторы с идентичны­ми электрическими параметрами.

Бескорпусные полупроводниковые интегральные микросхемы. Кон­структивно бескорпусные ИМС представляют собой защищенный от воз­действия окружающей среды специальными защитными покрытиями (ла­ками, эмалями, компаундами и др.) полупроводниковый кристалл, в объ­еме и на поверхности которого размещаются элементы и межэлементные соединения. В виде такого кристалла изготовлена микросхема типа К1ЛБ111. В функциональном   отношении   данная   микросхема   соответствует двухвходовому логическому элементу ИЛИ - НЕ. Габаритный чертеж микросхемы К1ЛБ111 представлен на рис. 3.21, г. Эта микросхе­ма характеризуется следующими параметрами: выходное напряжение логического «0»-0,15 В; входной ток 8-15 мкА; выходной ток 75-107 мкА; время задержки сигнала 100 мкс.

Из бескорпусных микросхем наиболее широко используются операци­онные усилители. Основные параметры некоторых   типов   бескорпусных операционных усилителей приведены в табл. 3.15, а их габаритные черте­жи показаны на рис. 3.21, д, е.

Кроме перечисленных типов навесных компонентов, в конструкциях гибридных ИМС используются также миниатюрные индуктивности, дрос­сели, трансформаторы и др

.

.