Усилительный и ключевой режимы биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (Лабораторная работа № 3)

Страницы работы

Содержание работы

Rб

 

“Осц”

 

“Ген” С1

 

Uип2

 

Uип1

 

·

 

V2

 

·

 

Rн

 

VT

 

·

 

·

 

·

 

С2

 

Характеристика передачи

 

Iк нас@ Uип2/ Rн

 

Iк, мА

 

Iб, мкА

 

Uк нас

 

Uк отс

 

Uб, В

 

Uк, В

 
Схема для исследования усилительных свойств транзистора

Rб – (10 – 40) кОм

Rн – (0,1 – 10) кОм       ИП1 – БП15

C1 – (0,1 – 10) мкФ      ИП2 – БП30

C2 - (0,1 – 10) мкФ

Пределы измерений:

mA1 – 0,75 мА

mA2 – (15 – 30) мА

V1–осциллограф в режиме Э.В.(25В)

V2- осциллограф в режиме Э.В.(25В)

Вид характеристик

Лабораторная работа №3 Усилительный и ключевой режимы

                                                биполярного транзистора в схеме с

                                                общим эмиттером (ОЭ)

1.Собрать схему для исследования усилительных свойств транзистора. V1, V2 мультиметр, подключаемый поочерёдно в соответствующие точки схемы.

2.По характеристикам транзистора выбирается напряжение питанияUип2 < Uк макс (см.спр.) и два значения сопротивления нагрузки Rн. Приближённо рассчитываются ток коллектора насыщения и ток базы насыщения (2 значения):

Iкн = Uип2 / Rн

Iбн = Iкн / h21э

На выходной характеристике транзистора строятся  линии нагрузки

Uк = Uип – Iк × Rн

3. Установить Uк = Uип2. Задавая ток базы Iб в пределах от 0 до Iбн, измеряют ток коллектора Iк, напряжение на базе Uб и напряжение на коллекторе Uк. Результаты заносятся в таблицу:

Таблица 1.                                      Uк макс =                   Рк макс =

Тип транзистора                              Iк макс  =

Iб, мкА         Iк, mA       Uб, мВ         Uк, В

4. Эксперимент повторяется два раза для двух значений сопротивления нагрузки Rн. Возможно представление одной таблицы.

5. Построить зависимость Iк(Iб), Uк(Uб). Определить из графика Iкн, Uкн, Iк отс, Uк отс. Uк нас. Измерить на пределе измерений  1 кОм. Для области линейного режима вычислить коэффициенты передачи тока, напряжения, мощности:

КI =d Iк  / d Iб

     КU = d Uк / d Uб

КР = КI × КU

6. Выбрать рабочую точку усилителя на линейном участке характеристики передачи. Вывести усилитель на линейный режим работы, подав для этого требуемое напряжение на базу транзистора. Подать на вход (гнездо «Ген.») сигнал от звукового генератора. Величина сигнала выбирается по характеристике Uк(Uб). Частота колебаний генератора 1 – 5 кГц.

7. Зарисовать осциллограммы на входе усилителя (гнездо «Ген.») и на выходе усилителя (гнездо «Осц.»):

-  в линейном режиме;

-  при увеличении амплитуды входного сигнала до наступления отсечки и насыщения;

-  при смещении напряжения на базе в сторону отсечки (при уменьшении Uип1);

-  при смещении напряжения на базе в сторону насыщения (увеличениеUип1).

8. Записать выводы по работе (в отчёте записать значения Uкн, Iбн, Iкн, Uк отс, Iб отс, Iк отс; сравнить экспериментальные и рассчитанные значения этих параметров; объяснить по осциллограммам почему при увеличении входного сигнала происходит двухстороннее ограничение; почему при изменении Uип1 выходной сигнал ограничивается сверху или снизу).

Вопросы к зачёту

1.  Показать на полученных графиках области отсечки и насыщения. Сравнить расчётные и экспериментальные параметры этих режимов.

2.  Сравнить расчётные и экспериментальные коэффициенты усиления транзистора. Объяснить влияние величины резистора нагрузки на усиление.

3.  Объяснить с использованием полученных осциллограмм влияние положения исходной рабочей точки и амплитуды входного сигнала на вид выходного сигнала. Показать искажения, обусловленные отсечкой и насыщением.

4.  Дать качественное и количественное объяснение зависимости величины напряжения насыщения от тока базы.

Похожие материалы

Информация о работе