Статические характеристики и параметры полевого транзистора с управляющим p-n переходом

Балтийский государственный технический университет им. Д. Ф. Устинова

Лабораторная работа №5

Статические характеристики и параметры полевого транзистора

с управляющим p-n переходом

Выполнили:     Войтович Виталий

Колупаева Анна

Попович Виктория                                                                                          

Цируль Даниил

Группа М171

СПб 2009

Лабораторная работа №6

Статические характеристики и параметры полевого транзистора с управляющим p-n переходом

1.  Снять семейства статических характеристик транзистора:

- стоко-затворную Iс(Uзи) при Uси1, Uси2, Uси3, Uси4;

- стоковую Iс(Uси) при Uзи1, Uзи2, Uзи3, Uзи4

1.1. Собрать схему для измерения характеристик транзистора (рис. 6.1.)

Рис. 6.1. Схема для измерения    характери-                                                                                                                        

стик полевого транзистора : R1= (610)кОм; R2=  (1-2) кОм; ИП1 – БП15;

ИП2-БП15. Пределы измерений: mA2 –

(1, 5 – 3, 0) мА; V1 – (1, 5 – 3, 0) В; V2 – осциллограф в режиме ЭВ (25 В)

1.2. При нулевом напряжении затвора (Uип1 = 0) увеличивать напряжение Uип2= Uси до значения, при котором начальный ток стока Iс.нач. не превышает значения Pс.макс. /Uси. Округлить полученное напряжение Uси до меньшего, удобного значения Uси и разделить диапазон  изменения  Uси на (4 - 5) интервалов  с границами  Uси1, Uси2, Uси3, Uси4, Uси5 = Uси.

1.3. Установить напряжение на стоке Uси4 или Uси5. Определить напряжение отсечки транзистора Uзи.отс. для чего, изменяя напряжение на затворе, найти значение Uзи, при котором Iс = 0.

1.4. Изменяя напряжение на затворе от 0 до Uзи.отс (4 значения), измерить ток стока Iс. Данные записать в табл. 6.1

Т а б л и ц а 6.1

Uси. макс=

Тип транзистора                              Iс.макс=

Pс.макс=

1.5    Повторить эксперимент при других значениях напряжения на стоке

Uси1, Uси2, Uси3

2.  Построить по полученным данным стоко - затворную и стоковую характеристики транзистора (рис. 6.2). Если на стоковой характеристике восходящий (линейный) участок и область насыщения выявляются отчетливо, то необходимо повторить эксперимент, установив напряжение на стоке меньше, чем Uси1.

Рис. 6.2. Примерный вид характеристик

3.  Вычислить крутизну характеристики, сопротивление и коэффициент усиления транзистора при Uси < Uси.нас и при Uси > Uси.нас:

S = dIс/ dUзи при Uси = const

rс = dUси/ dIс при Uзи = const

µ = S*rс

4. Записать выводы по работе (в выводах объяснить, при каких значениях напряжения  на стоке Uси > Uси. нас или Uси < Uси. нас прибор работает в режиме усиления и почему).

Сравнить полученные характеристики со справочными.