Исследование полевого транзистора. Изучение принципа работы полевых транзисторов разного типа (Лабораторная работа № 3), страница 3

Результаты свести в таблицу 3.3.

Таблица 3.3

2.3 Снять выходные (стоковые) вольтамперные характеристики I_c=f(U_си) при U_зи = const для пяти значений U_зи. Значения U_зи задаются преподавателем.

Для этого установить и поддерживать в течение опыта неизменным значение напряжения между затвором и истоком U_зи  с помощью регулятора напряжения источника E₁. Далее, изменяя напряжение между стоком и истоком U_си с помощью регулятора напряжения источника E₂, записать соответствующие значения тока стока I_c.

Результаты свести в таблицу 3.4.

Таблица 3.4

3. Исследование МДП-транзистора с встроенным каналом «p»-типа.

3.1. Собрать схему приведенную на рис. 3.6.

3.2. Снять проходные (стоко-затворные) характеристики транзистора I_c = f(U_зи) при U_си=const при пяти значениях U_зи.

При снятии характеристики сначала напряжение на затворе U_зи изменять от нуля до напряжения отсечки U_зи.отс через 0,5 В; затем установить U_зи = 0, изменить полярность U_зи переключением клемм «+» и «-» источника E₁ и далее изменять U_зи от 0 до –U_зиmax через 0,2 В. Значения напряжений U_си и U_зи.max задается преподавателем. Полученные результаты записать в таблицу 3.5.

Таблица 3.5

Содержание отчета

1.  Схемы включения транзисторов

2.  Таблицы измерений

3.  Графики характеристик

4.  Для транзистора с затвором в виде p-n-перехода определить параметры R_вых, U_нас (по стоковой характеристике), S, U_зи.отс (по стоко-затворной характеристике)