Исследование полевого транзистора. Изучение принципа работы полевых транзисторов разного типа (Лабораторная работа № 3), страница 2

1. Исследование полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода  с каналом «n»-типа (транзистор КП303Е).

1.1. Собрать схему рис. 3.4.

1.2.Снять проходные (стоко-затворные) характеристики транзистора I_c = f(U_зи) при U_си = const для пяти значений U_си.. Значения U_си задаются преподавателем.

Для этого напряжение между затвором и истоком U_зи с помощью регулятора напряжения источника E₁ изменять от нуля до напряжения отсечки через 0,5 В и записывать соответствующие значения тока стокам I_с. Напряжение между стоком и истоком U_си с помощью регулятора напряжения источника E₂ в течение каждого опыта поддерживать неизменным. Результаты свести в таблицу 3.1.

Таблица 3.1

1.3. Снять выходные (стоковые) вольтамперные характеристики I_c = f(U_си) при U_зи = const для пяти значений U_зи.

Для этого установить и поддерживать в течение опыта неизменным значение напряжения между затвором и истоком U_зи  с помощью регулятора напряжения источника E₁. Далее, изменяя напряжение между стоком и истоком U_си с помощью регулятора напряжения источника E₂, записать соответствующие значения тока стока I_c. Напряжение U_си менять в пределах от 0 до 6 В, причем в пределах от 0 до 2 В через 0,5 В, а от 2 до 6 В – через 2 В.

Результаты свести в таблицу 3.2.

Таблица 3.2

2. Исследование МДП-транзистора с индуцированным каналом «p»-типа.

2.1. Собрать схему приведенную на рис. 3.5.

2.2. Снять проходные характеристики транзистора I_c = f(U_зи) при U_си=const при пяти значениях U_зи.

Для этого установить и поддерживать в течение опыта неизменным значение напряжения между стоком и истоком U_си  с помощью регулятора напряжения источника E₂. Далее, изменяя напряжение между затвором и истоком U_зи с помощью регулятора напряжения источника E₁, записать соответствующие значения тока стока I_c.