Исследование прямой характеристики p-n перехода маломощного кремниевого диода

Отчёт по л/р. №1 (вариант№5)

Исследование прямой ветви ВАХ p-nперехода.

Цель: с помощью программы “MultiSim7” исследовать прямую характеристику p-n перехода. В качестве исследуемого объекта выступает маломощный кремниевый диод. А также освоить методики построения принципиальных электрических схем и способы использования измерительных приборов для определения токов и напряжений в узлах схемы.

Действие 1: смоделировала принципиальную электрическую схему                                                                                                                                                       

ID-ток через диод

UD-напряжение на диоде

Действие 2: регулируя ток через диод и фиксируя при определенных значениях напряжение на нем, сняла прямую вольтамперную (ВАХ) характеристику диода (p-n перехода).

Результаты измерений занесла в таблицу:

Таблица 1:Расчёты для построения ВАХ

Действие 3: по данным, полученным в результате моделирования, построила два графика:

Рис.1 ВАХ диода 1N4449 в логарифмическом представлении.

Рис.2 Начальный участок ВАХ диода.

Действие 4: ответы на контрольные вопросы:

1. Схема эксперимента состоит из следующих элементов: источник тока, амперметр, вольтметр, диод D2 1N4449. Амперметр соединён последовательно с диодом, вольтметр – параллельно.
2. ВАХ p-n перехода (диода) описывает зависимость тока через p-n переход (диод) от приложенного напряжения.
3. На прямом участке ВАХ доминирующим является диффузионный ток (ток основных носителей) через p-n переход.
4. Напряжение отпирания p-n перехода составляет ~0,476 В (<0,5 В). Это означает, что диод 1N4449 выполнен из кремния.