Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n перехода

Федеральное агентство по образованию

ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет - УПИ»

Отчёт

По лабораторной работе №1

«Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики (ВАХ) p – n  перехода»

Вариант №10

Выполнила: Соболева Е.Ю.

Группа: Фт-35051.

Проверил: Пономарёв А.В.

Екатеринбург, 2008

Схема.

Результаты измерений.

Графики.

Начальный участок вольт-амперной характеристики диода 1N4942GP.

I – ток протекающий через диод в амперах.

U – напряжение на диоде в вольтах.

Вольт-амперная характеристика диода 1N4942GP в логарифмическом представлении.

I – ток протекающий через диод в амперах.

U – напряжение на диоде.

Ответы на вопросы.

1.В эксперименте используется источник тока, к которому подключён диод 1N4942GP (прямое включение), последовательно в цепь включен амперметр для снятия значений тока через диод, а параллельно диоду - вольтметр для снятия значений напряжения на нём.

2.ВАХ показывает зависимость тока через диод от приложенного напряжения. Исходя из вида графика, можно говорить о понижении потенциального барьера p-n перехода и понижении напряжения прямого смещения.

3.При прямом напряжении в p-n переходе наряду с туннельным током появляется диффузионный ток. При расхождении границы зоны проводимости n-области с границей валентной зоны p-области, существует только диффузионный ток. Таким образом, диффузионный ток основных носителей заряда является доминирующим, при прямом включении p-n перехода.

4.Так как напряжение отпирания составляет 0.6 В, то диод выполнен из кремния, если бы напряжение было меньше или равно 0.2 В, то это был бы уже диод, сделанный из германия.