Емкостные накопители энергии. Общие сведения о емкостных накопителях энергии (ГИН, ГИТ, ФЛ)

Страницы работы

Содержание работы

3. Емкостные накопители энергии.

          3.1 Общие сведения о емкостных накопителях энергии (ГИН, ГИТ, ФЛ).

Широкое использование емкостных накопителей энергии (ЕНЭ), как отмечалось выше, обусловлено рядом их достоинств по сравнению с другими источниками энергии. Главными из них являются: малое внутреннее сопротивление (< 10-3 Ом), малая индуктивность (≈ 10-9 Гн), позволяющие обеспечить малые времена разряда (10-8 ÷ 10-1 с), высокую эффективность передачи энергии в нагрузку, возможность достижения рекордных значений мощности (до 1013 Вт) и скорости нарастания тока (> 1013 А/с). Кроме того ЕНЭ обладают рядом эксплуатационных удобств: отсутствие движущихся элементов, простота обслуживания, модульный принцип исполнения.

Вместе с тем ЕНЭ присущ известный недостаток – низкая плотность запасаемой энергии по сравнению с другими типами накопителей – 0,1 - 0,5 МДж/м3.  Причем у крупных и высоковольтных установок среднее значение плотности энергии (в расчете на весь объем) оказывается в несколько раз ниже, как за счет снижения уровня рабочего напряжения конденсаторов до 50-60% от номинального, так и за счет увеличения объема изоляции с ростом напряжения. По этой причине накопители с энергией порядка 106 – 107 Дж представляют собой крупные и дорогие сооружения, занимающие специальные экспериментальные залы или отдельные здания. Тем не менее, емкостные накопители могут конкурировать с источниками других типов. В конечном счете, выбор источника определяется технико-экономическими соображениями.

Емкостные накопители классифицируются по следующим признакам:

1) по напряжению:

- накопители низкого напряжения (ниже 10 кВ),

- накопители среднего напряжения (10 - 100 кВ),

- накопители высокого напряжения (104 - 107 В)

2) по запасаемой энергии:

- ЕНЭ малой энергии (до 102 кДж),

- ЕНЭ средней энергии (до 1 МДж),

- ЕНЭ большой энергии (более 1 МДж)

3) по длительности импульса тока:

- миллисекундного диапазона,

- микросекундного диапазона,

- наносекундного диапазона

4) по типу конструкции и схеме соединения элементов:

- ГИТ – генераторы импульсных токов, блоки конденсаторов соединены параллельно,

- ГИН – генераторы импульсных напряжений, последовательное соединение блоков,

- ФЛ – формирующие линии.

ГИН и ГИТ характеризуются временами импульсов во много раз меньшими времени пробега ЭМ волной размера установки. Это случай контуров с сосредоточенными параметрами. Формирующая линия (ФЛ), в отличие от ГИН и ГИТ, передает энергию в нагрузку в волновом режиме, т.е. за время, определяемое временем пробега ЭМ волны вдоль линии. Поясним это на следующем простом примере. Рассмотрим отрезок коаксиального кабеля длиной L. Время распространения волны по кабелю составляет tp = L/υ, где υ = с/(εμ)1/2 – скорость распространения волны по кабелю:


Отрезок кабеля – классический пример формирующей линии, линии с распределенными параметрами. Пусть линия заряжена от источника напряжением Е (замыкание ключа К1) через Rзар за время τзар ~ Rзар·Cл >> tp. При этом линия ведет себя как обычный цилиндрический конденсатор с сосредоточенными параметрами.

В случае замыкания ключа К2 на нагрузку Rн порядка ρ за время tk < tp характер процесса будет чисто волновой. В частности, если Rн = ρ (согласованный режим), то tн = 2L/υ, URн = E/2.

ЕНЭ по схемам ГИН и ФЛ рассмотрим в более поздних главах курса. Сейчас перейдем к рассмотрению ГИТов.

3.2 Генераторы импульсных токов.

Структурная схема ГИТ может быть представлена в следующем виде:


Здесь:       ЗУ – зарядное устройство,

КБ – конденсаторная батарея,

СК – система коммутации,

К – коллектор (сборка тока),

СЭ – соединительные элементы,

УБС – блок управления, блокировки и синхронизации,

Н – нагрузка.

3.2.1. Схема замещения ГИТ.

Простейшая схема замещения ГИТ с одним разрядником может быть представлена в виде:

CO = CK·N – емкость батареи,

CK – емкость одного конденсатора,

N – число конденсаторов в батарее,

 - индуктивность контура ГИТ, где:

LK – собственная индуктивность одного конденсатора,

LШ – эквивалентная индуктивность шин,

LЦ.Ш. – эквивалентная индуктивность центральных шин, к которым присоединяют нагрузку через разрядник,

LP – эквивалентная индуктивность разрядника,

RO – эквивалентное активное сопротивление ГИТ,

LH, RH – индуктивность и активное сопротивление нагрузки,

К – коммутатор (разрядник).

3.2.2. Основные решения для RLC-цепи с сосредоточенными параметрами.

Приведенная схема является классической RLC-цепью с постоянными, сосредоточенными элементами при определенных приближениях. В реальных условиях R и L контура зависят от времени вследствие диффузии магнитного поля в проводники, нелинейности сопротивления коммутатора, нагрева проводников в процессе протекания тока и т.д. Параметры нагрузки RH и LH вообще говоря, могут быть существенно нелинейны.

Хотя рассматриваемая схема и является приближенной, она позволяет в большинстве инженерных расчетов определить наиболее важные и существенные параметры процесса разряда ГИТ на нагрузку.

Рассмотрим процесс в контуре после замыкания ключа К при заряженной батарее до UO. Запишем:

R = RO +RH,      L = LO + LH.

Дифференциальное уравнение для протекающего в цепи тока имеет вид:

                                      (3.1)

начальные условия:

t = 0, q = qO = UO·C – начальный заряд батареи конденсаторов,

                  - начальный ток.

Решение данного уравнения имеет три вида в различных условиях:

а) при  - затухание меньше критического. Решение описывается колебательно затухающей функцией:

(3.2)

здесь        -

(3.3)

угловая частота, где введены параметры цепи

  

(3.4)

(3.3)

б) при  - затухание больше критического. Апериодический режим.

(3.6)

где  

(3.7)

в) при  - критический режим разряда конденсатора. Он описывается уравнением

(3.8)

Похожие материалы

Информация о работе