Исследование полевого транзистора

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

КРАСНОЯРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИНСТИТУТ   РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

КАФЕДРА: РТУ СВЧ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4

Исследование полевого транзистора

КРАСНОЯРСК 2003.

Лабораторная работа №4

Исследование полевого транзистора

Цель работы: изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых

                            транзисторов.

1. Подготовка к работе

1. Изучить по конспекту лекций и рекомендуемой литературе следующие вопросы:

      а) устройство и принцип действия полевых транзисторов;

      б) характеристики полевых транзисторов;

      в) параметры полевых транзисторов;

      г) эквивалентные схемы полевых транзисторов;

      д) типы полевых транзисторов;

      е) преимущества и недостатки полевых транзисторов по сравнению с

          обычными биполярными транзисторами и электронными лампами.

2. Ознакомиться с паспортными данными испытуемого полевого транзистора и

    зарисовать схему расположения выводов. 

3. Составить измерительную схему для снятия характеристик полевого

    транзистора.

2. ИСПОЛЬЗУЕМАЯ АППАРАТУРА

1.Стандартный лабораторный стол для исследования электронных приборов

   (СИЭП-2).

2. Полевой транзистор типа КП-101, КП-102, КП-103 (по указанию преподавателя).

3. ЗАДАНИЕ К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ

1. Собрать схему, представленную на рис.1.

2. Снять стоковые характеристики полевого транзистора при нескольких заданных

    напряжениях на затворе Uз, в том числе при Uз=0.

3. Снять стоково-затворные характеристики полевого транзистора Iс=f (Uз) при

    нескольких заданных напряжениях на стоке Uс. 

ПРИМЕЧАНИЕ. При снятии всех характеристик полевого транзистора следует строго придерживаться режимов, указанных в карточке-задании.