Вопросы для защиты РГЗ по курсу «Математическое моделирование» (Биполярный интегральный транзистор. Полевые транзисторы с диодами Шоттки)

Вопросы для защиты РГЗ по курсу «Математическое моделирование»

Вопросы по транзисторам

Биполярный интегральный транзистор

1.  Нарисовать физическую структуру БТ и пояснить назначение всех областей.

2.  Эквивалентная схема интегрального транзистора.

3.  Назначение скрытого слоя и  разделительной диффузии в интегральном транзисторе.

4.  Распределение доноров и акцепторов в структуре транзистора.

5.  От  чего зависит эффективность эмиттера и эффективность переноса?

6.  Нормальное и инверсное включение транзистора

7.  Коэффициенты передачи тока : нормальный ,инверсный ,коэффициент передачи тока  в подложку .

8.  Как определить , и   по вольтамперным характеристикам транзистора?

9.  БТ в режиме насыщения.

10.  Как влияет глубина эмиттерного перехода  на коэффициент передачи тока?

11.  Чем отличаются ВАХ в схемах ОБ и ОЭ?

12.  От чего зависит напряжение пробоя коллекторного перехода?

13.  Напряжение смыкания, от чего оно зависит?

14.  Что называется напряжением Эрли?

15.  Как определяется напряжение Эрли по выходным характеристикам транзистора?

МОП транзисторы

1.  Объяснить выходные и передаточные характеристики МОП транзисторов с n- и p- каналом.

2.  Что называется потенциалом инверсии на поверхности полупроводника?

3.  От чего зависит пороговое напряжение МОП транзистора?

4.  Как можно менять величину порогового напряжения?

5.  Зачем делается подлегирование подложки в МОП транзисторе?

6.  Почему происходит насыщение дрейфовой скорости и как оно влияет на ВАХ транзистора?

7.  Эффекты короткого канала в МДП транзисторе.

8.  Преимущества поликремниевого затвора.

9.  Подпороговые токи в МДП транзисторе.

10.  Как определяется пороговое напряжение по зависимости ?

11.  Влияние подложки на ВАХ транзистора.

12.  Объяснить зависимость порога от толщины подзатворного диэлектрика.

13.  Чем создается фиксированный в окисле заряд и как он влияет на величину порогового напряжения?

14.  Поясните смысл и значение параметров  в директиве Gateelectrode.

15.  Почему акцепторы подложки влияют на величину порогового напряжения?

16.  От чего зависит граничное напряжение на стоке, при котором транзистор переходит из крутой области в пологую?  

Полевые транзисторы с управляющим  p-n-переходом

1. Назначение  областей в конструкции ПТУП.
2. Чем отличается конструкция ПТУП с вертикальным каналом?
3. Поясните влияние глубин залегания истока и стока на свойства транзисторов.
4. Что называется крутизной полевого транзистора?
5. Объяснить зависимость крутизны от напряжения на затворе.
6. Объяснить зависимость напряжения отсечки и крутизны от степени  легирования и размеров областей.
7. Почему транзистор переходит из крутой области в пологую?
8. Как влияет напряжение на подложке на положение границы крутой и пологой областей?
9. Поясните распределение продольной напряженности поля по длине канала.
10. Зависимость ширины ОПЗ под затвором от напряжения на пeреходе.

Полевые транзисторы с диодами Шоттки

1.  Энергетическая диаграмма контакта металл – полупроводник. Объяснить изгиб зоны проводимости и образование обедненного слоя.

2.  Контактная  разность потенциалов и высота барьера для электронов со стороны металла в ДШ.

3.  Чем отличаются ВАХ нормально открытого и нормально закрытого транзисторов?

4.  Как влияет высота барьера на напряжение отсечки и ВАХ транзистора?

5.  Объяснить зависимость напряжения отсечки и крутизны от степени  легирования и размеров областей.

6.  Поясните распределение поперечной, вертикальной  напряженности поля под затвором.

7.  Объяснить влияние напряжения на подложке на выходные характеристики