Разработка электрической схемы цифрового устройства, топологии цифрового устройства и расчет режимов работы цифрового устройства

Федеральное Агентство по Связи

Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и Информатики

Кафедра ТЭ

Курсовая работа:

“Разработка цифрового интегрального устройства ”

Выполнил:ст.Гр.Р-51

Лимонов Александр

Проверил: Квашнин

Евгений Фомич

Новосибирск 2007.

1.Введение.

Современный этап развития радиотехники, электронной техники и техники связи характеризуется их взаимным проникновением и широким использованием практически во всех областях  науки и техники, а также значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой.

  Интегральная и функциональная микроэлектроника, являются фундаментальной базой развития всех систем радиоэлектронной аппаратуры.

    Микроэлектроника – одно из магистральных направлений в радиоэлектронике, и уровень ее развития в значительной степени определяет уровень научно-технического прогресса страны.

Интегральные микросхемы служат элементарной базой практически всех типов радиоаппаратуры.

Потребности обеспечения систем связи, радиолокации, промышленной автоматики, космических исследований, транспортных средств и т. д. интегральными микросхемами высокого качества привели к разработке и выпуску большой номенклатуры ИМС с непрерывно возрастающей степенью интеграции. При этом производная роста сложности ИМС существенно выше аналогичного показателя для аппаратуры.

 Совершенствование радиоэлектронной аппаратуры связано с широким использованием элементов микроэлектроники, заменой механических и электромеханических узлов и блоков электронными с комплексной миниатюризацией.

В данной курсовой работе перед нами предстоит задача,

заключающаяся в  разработке электрической схемы цифрового устройства, топологии цифрового устройства и расчёте режимов работы цифрового устройства

2. Первая часть.

Разработка электрической схемы цифрового устройства.

2.1 Задание.

Разработать электрическую схему цифрового устройства, выполняющего нижеприведенные функции. При этом нужно соблюдать следующие требования:

·  Общая потребляемая мощность устройства не должна превышать указанное в задании значение;

·  Время задержки распространения сигнала по самому длинному пути не должно превышать заданное значение;

·  Приведены требования к выходным элементам - они должны иметь открытый коллекторный  стоковый выход;

Y₁=X₁*X₂*X₃*X₄+ X₁*X₂*X₃*X₄+(X₅*X₆*X₇+ X₅*X₆*X₇)*X₈

Y₂= X₁*X₂*X₃+X₄*X₅*X₆

Y₃= X₅*X₆*X₇*X₈

Рпотр < 70 мВт

2.2   Упрощаем исходные уравнения (используя законы алгебраической логики).

Первая логическая функция:

Y₁=X₁*X₂* X₃*X₄+ X₁*X₂*X₃*X₄+(X₅*X₆*X₇+ X₅*X₆*X₇)*X₈=

= (X₁*X₂)  +  (X₃*X₄) +  (X₅  +  X₆)*X₇*X₈

Вторая логическая функция:

Y₂=X₁*X₂*X₃+X₄*X₅*X₆= X₁*X₂*X₃*X₄*X₅*X₆

Третья логическая функция:

Данная функция не нуждается в упрощении, т.е. её целесообразней оставить такой какая она есть

Y₃= X₅*X₆*X₇*X₈

2.3   Общая структурная  логическая схема устройства.

Составляя структурная схему, мы используем набор логических элементов, выполняющих элементарные операции, с помощью которых в двоичном коде можно реализовать любую сложную логическую функцию.

Так же нужно обратить внимание на то , что количество логических элементов в схеме должно минимально

2.4   Выбор типа  логики

В условии задания оговорено, что:

                                                    Р_потр ≤ 70 мВт

t_зд.р.ср ≤ 60 нсек

. Если брать серии только ТТЛ и ТТЛШ (даже самые дорогие) , то хотя бы одно из условий не будет выполняться. В другом варианте, если брать только серии логик КМДП, то схема получится менее компактной, так как среди ТТЛ и ТТЛШ есть весьма удобные для данного случая прототипы  .Отсюда следует только один выход: использовать часть серий из логики ТТЛ(ТТЛШ) и часть серий логики КМДП. Также следует учитывать, что:

1.  В варианте ТТЛ – КМДП для обеспечения необходимого режима по выходу ТТЛ ИМС используются дополнительный резистор с номиналом порядка 1кОм;

2.  В варианте КМДП – ТТЛ выход КМДП ИМС непосредственно подсоединяется ко входу ТТЛ ИМС.

2.5  Выбор конкретных ИМС.

а) DD1: 4 логических элемента «2И»:КР1554ЛИ1

                  Е_П           =    5 В              U¹_вых         ≥    4.36 В

I_{потр.ср} =   4 мкА            t^1,0_зд.р    ≤    7 нс

I⁰_вых         ≤    24   мА       t^0,1_зд.р    ≤    7.5 нс

I¹_вых         ≤      -24  мА      Р_{потр.ср.} =    20  мкВт

U⁰_вых       ≤    0.32 В        t_{зд.р ср.}  =    7,25 нс

б) DD2: 4 логических элемента «ИСКЛ. ИЛИ»:КР1554ЛП5

            Е_П=           5 В             U¹_вых       ≥    4.36 В

I_{потр.ср}=   8 мкА           t^1,0_зд.р  ≤    13.5 нс

I⁰_вых       ≤    24   Ма       t^0,1_зд.р  ≤    13.5 нс

I¹_вых       ≤       -24  мА     Р_{потр.ср.}=    40  мкВт

U⁰_вых     ≤    0.32 В       t_{зд.р ср.}=     13.5 нс

в) DD3 2  логических элемента «4 И»:КР1533 ЛИ6                                                                          

  I⁰_потр.   ≤    2  мА         U⁰_вых     ≤    0.4 В  

I¹_потр     ≤   1.1  мА       U¹_вых       ≥    2.5 В

I⁰_вх         ≤    -0.1 мА       t^1,0_зд.р  ≤    10 нс

                                    I¹_вх         ≤    0.02 мА      t^0,1_зд.р  ≤    26 нс

I⁰_вых       ≤    8  мА         Р_{потр.ср.}=    7.75  мВт

I¹_вых       ≤      -0.4  мА     t_{зд.р ср.}=     18 нс

г) DD4:  логический элемент «8 И-НЕ»: КР1533ЛА2

I⁰_потр.   ≤    0.9  мА       U⁰_вых     ≤    0.4 В

I¹_потр     ≤   0.31  мА      U¹_вых       ≥    2.5 В

I⁰_вх         ≤    -0.1 мА       t^1,0_зд.р  ≤    12  нс

                                      I¹_вх         ≤    0.02 мА       t^0,1_зд.р   ≤    10  нс

I⁰_вых       ≤    8  мА          Р_{потр.ср.}=    3.025  мВт

I¹_вых       ≤      -0.4  мА      t_{зд.р ср.}=     11 нс

д)DD5: 4 логических элемента «2 ИЛИ»:КР1554ЛЛ1

                Е_П           =    5 В                  U¹_вых         ≥    4.36 В

I_{потр.ср} =   4 мкА                t^1,0_зд.р    ≤    7 нс

I⁰_вых         ≤    24   мА           t^0,1_зд.р    ≤    7.5 нс

I¹_вых         ≤      -24  мА          Р_{потр.ср.} =    20  мкВт

U⁰_вых       ≤    0.32 В             t_{зд.р ср.}  =    7,25 нс

е)DD6 4 логических элемента «2И» с открытым стоковым выходом:КР1564ЛИ2

                Е_П           =    5 В                 U¹_вых         ≥    4.36 В

I_{потр.ср} =   4 мкА                t^1,0_зд.р    ≤    7 нс

I⁰_вых         ≤    24   мА            t^0,1_зд.р    ≤    7.5 нс

I¹_вых         ≤      -24  мА           Р_{потр.ср.} =    20  мкВт

U⁰_вых       ≤    0.32 В             t_{зд.р ср.}  =    7,25 нс

2.6  Общая принципиальная схема устройства с учетом микросхем.

Примечания:

1) если часть входов логического элемента используется, а часть

 нет, то необходимо на неиспользуемые входы подать постоянный уровень нуля или единицы. В нашем случае нам необходимо получить уровень единицы ,так как уровень нуля исказить значение выходного сигнала, поэтому мы  на неиспользуемые входы через резистор(во избежание слишком большого входного тока, и выхода микросхемы из строя) подаём напряжение питания.

2)если все входы какого-либо логического элемента не используются, то их следует заземлить.

2.8 Расчет максимального времени задержки и потребляемой мощности.

Проверим выполнение условий, которые даны в задании:

·  Мощность потребляемая всеми логическими элементами равна:

P_{потр.сх}=P_{потр DD1}+ P_{потр DD2}+ P_{потр DD3}+ P_{потр DD4}+ P_{потр DD5}+ P_{потр DD5}

P_{потр.сх}=0.02+0.04+7.75+3.025+0.02+0.025=10.88 мВт

Р_{ПОТР.СХ} < Р_ПОТР

10.88мВт<70 мВт

·  Время задержки по самому длинному пути равно:

t_{зд.р.ср.сх}= t_DD1ср+ t_DD2ср+ t_DD5ср+t_DD6ср=7.25+13.5+7.25+24=52,5 нс

t_{зд.р.ср.сх <}t_зд.р.ср

52.5 нс < 60 нс

Все условия , указанные в задании - выполняются, следовательно, серии ИМС выбраны верно.

3. Вторая часть.

Расчет режимов работы электронной схемы цифрового устройства.

3.1. Задание

Дана электрическая схема. Необходимо провести расчёт работы данной схемы

Электрическая схема:

Комбинации на входах:   0000

1111

1100

3.2. Анализ работы логического элемента.

При выполнении расчетов предполагается принять:

·  U0вх=0,1В U1вх=3В

·  Ток БТ, находящегося в режиме отсечки Iкэо,не более 1мкА;

·  Напряжение между коллектором и эмиттером БТ находящегося в режиме насыщения 0,1В;

·  Напряжение на переходе коллектор-база БТ при прямом включении 0,7В;

·  Напряжение на переходе коллектор-база при прямом включении 0,6В;

·  Коэффициент передачи тока БТ при прямом включении ß=50;

·  Коэффициент передачи тока БТ в инверсном режиме ßи=0,05.

Т.к. логические элементы обычно работают совместно с подобными

схемами, то при расчете можно значение выходного тока базового

элемента приравнять значению его выходного тока.

Весь расчет основан на оценке потенциалов в узловых точках схемы.

Проанализируем работу схемы при подаче на вход трех различных комбинаций:

Для удобства дальнейших расчетов, первоначально определим