Умножитель по модулю семь. Выбор элементной базы, страница 2

Серия

ИС

Наработка на отказ, час

Срок

сохраняемости,

лет

Серия

ИС

Наработка на отказ, час

Срок

сохраняемости,

лет

130

КМ555

К131

КР1531

50000

15

К133

25000

10

КР1533

50000

15

133

50000

25

1531

100000

25

К155

80000

15

1533

100000

25

155

50000

25

100

50000

25

134

50000

25

500

50000

25

530

50000

25

К1500

100000

25

КР531

К561

50000

15

КМ531

564

50000

25

533

100000

25

1564

100000

25

К555

80000

15

КР1554

1564

50000

25

5514

100000(125000)*

25

Примечание: * - в режиме U= 5 В±5%, Т=25±10°С.

Энергетический критерий:

Тех

Параметр

но

логия

Тип

Серия

Р пот,

мВт

tp..тип.,нс

tp..макс,нс

Эпот,

пДж

ТТЛ (Si)

130

22

6

10

132

быстродейств.

К131

22

6

10

132

Б

ТТЛ (Si)

КПЗ

10

10

22

100

и

стандартные

КМ133

10

10

22

100

н

К155

10

10

22

100

о

КМ155

10

10

22

100

л

я

ТТЛ (Si) маломощные

134

1

33

100

33

р

ТТЛШ (Si)

530

19

3

5

57

н

быстродей

КР531

19

3

5

57

ы

ствующие

КМ531

19

3

5

57

е

ТТЛШ (Si)

533

2

9.5

20

19

маломощные

К555

КМ555

2

2

9.5

9.5

20

20

19

19

ТТЛШ (Si)

1531

4

3

6

12

быстродейст.

усовершенств.

КР1531

4

2

3.9

8

ТТЛШ (Si)

маломощные,

усовершенств.

КР1533

1

4

11

4

ЭСЛ (Si)

100

К500

К1500

25

25

40

2

2

0.75

2.9

2.9

50

50

30

Уни

КМОП (Si)

К561

0.0025 на 1 МГц

45

200

0.1

по

564

0.0025 на 1 МГц

45

200

0.1

ляр

1564

0.0025 на 1 МГц

10 12

45 20

0.025

ные

КР1554

5514

0.0025 на 1 МГц 16-56 (160-560)*

3.5 5

17 7

0.008

НОПТШ

(GaAs)

К6500

3...6

0.1

0.42

0.3...0.6

Глубина и сложность схемы для различных типов ИС.

Серия ИС

Параметры

глубина схемы

сложность схемы

КР1533

5 (15)

150

1531

10 (20)

37

КР1531

15 (30)

37

КР1554

8(17)

75

5514

>8 (17)

75

К6500

150( 600)

25

Таким образом целесообразно реализовать  на ИС серии КР1554 ,это обеспечит меньшую потребляемость мощности при выполнении требований к быстродействию.