Исследование сегнетоэлектрических свойств триглицинсульфата (Лабораторная работа № 2-11)

Страницы работы

Фрагмент текста работы

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА N 2-11  Й

ИССЛЕДОВАНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОИСТВ  ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТА 

ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Исследовать температурную зависимость спонтанной поляризации и коэрцитивного поля сегнетоэлектрика триглицин-  сульфата. Определить температуру Кюри. 

ОБОРУДОВАНИЕ: Электронный осциллограф. Цифровой килоомметр.  Установка Сойера-Тауэра.

КРАТКАЯ ТЕОРИЯ

Диэлектрик, помещенный в электрическое поле, поляризуется, т.е. приобретает электрический дипольный момент. При этом в  зависимости от молекулярного строения диэлектрика, в нем будут  происходить различные процессы. В так называемых неполярных  диэлектриках под действием электрического поля происходит  смещение "центра тяжести" положительных и отрицательных зарядов  молекул и атомов. В результате каждая элементарная ячейка приобретает индуцированный дипольный момент. В полярных диэлектриках  молекулы уже обладают постоянным дипольным моментом, но тепловое  движение поддерживает хаотическую ориентацию диполей. В электрическом поле происходит их ориентация в определенном направлении.

Степень поляризации диэлектрика характеризуется поляризованностью P, которая численно равна суммарному дипольному моменту единицы объема.

                (1)

В большинстве диэлектриков вектор поляризации пропорционален напряженности электрического поля

P=æ×e0×E                                                      (2) 

Коэффициент пропорциональности æ называется диэлектрической  восприимчивостью диэлектрика.

Поляризация диэлектрика приводит к появлению на его границах  связанных зарядов, поле которых ослабляет поле в диэлектрике.

Поверхностная плотность s связанных зарядов численно равна поляризованности P =s ’ . Результирующее поле внутри диэлектрика 

                                        E = E0 - E'                                                         (3)  

состоит из внешнего поля  созданного свободными зарядами с поверхностной плотностью s и поля связанных зарядов , направленного против внешнего поля. Ослабление поля в диэлектрике характеризуется диэлектрической проницаемостью e

e =1+æ=

Рис. 1.

Сегнетоэлектрики - это диэлектрики, которые обладают спонтанной (самопроизвольной) поляризацией P в отсутствие электрического поля. Спонтанная поляризация ячеек кристалла имеет  одинаковое направление в пределах макроскопических (т.е. содержащих очень большое число элементарных ячеек) областей, называемых доменами. Обычно домены имеют размеры порядка 1-10 мкм. 

Направления поляризации в соседних доменах отличаются,  поэтому в отсутствие электрического поля в состоянии равновесия  средняя поляризация образца равна нулю (что соответствует  минимуму его энергии).

На рис. 2 показана доменная структура изучаемого в этой работе сегнетоэлектрика - триглицинсульфата. Этот кристалл имеет  лишь два возможных направления P , что обусловлено его кристаллической симметрией, в других кристаллах их может быть больше.

Если образец поместить в электрическое поле, то энергетически более выгодными будут домены с параллельным полю (или близким к нему) направлением спонтанной поляризации. Доменная структура начнет изменяться "в пользу" указанных доменов за счет  движения доменных стенок, а также появления и роста зародышей  новых доменов (рис. 2, б).

Рис. 2. Схема доменной структуры триглицинсульфата.

а) - в отсутствие электрического поля.

б) - изменение доменной структуры в электрическом поле.

Средняя поляризация образца станет отличной от нуля. Зависимость поляризации образца от напряженности поля у сегнетоэлектриков, в отличие от обычных диэлектриков, нелинейная (рис. 3, а). 

а) б)

Рис. 3. Зависимости P(E).

а) 1 - для линейного диэлектрика.

2 - начальная кривая поляризации сегнетоэлектрика. б) - петля гистерезиса для циклической переполяризации.

На участке o-a поляризация образца растет за счет изменения  доменной структуры. Когда образец станет монодоменным, т.е.  будет представлять единый домен, поляризация с ростом поля будет  незначительно возрастать за счет индуцированного увеличения  дипольного момента каждой элементарной ячейки. Этот участок a-b  называется участком насыщения. Если данный участок насыщения  экстраполировать до пересечения с осью P (E = 0), мы получим  величину поляризации монодоменного кристалла в отсутствие  электрического поля, т.е. величину спонтанной поляризации  кристалла PS .

Если образец заполяризировать до насыщения (начальная кривая

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Физика
Тип:
Методические указания и пособия
Размер файла:
93 Kb
Скачали:
0