Исследование и снятие характеристик полевого транзистора (Лабораторная работа № 3)

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3

Тема: Исследование и снятие характеристик полевого транзистора.

Цель работы: Изучить особенности работы полевого транзистора с канатом n - типа и затвором в виде р-n - перехода

Оборудование:       1. Electronics Workbench

Порядок выполнения работы

1.  Изучить назначение и принцип работы полевых транзисторов.

2.  Собрать схему эксперимента. Движки резисторов R1 и R2 назначить клавишам I(in) и O(out). Уменьшение сопротивления, а, следовательно, и потенциалов на затворе и стоке транзистора,  можно будет производить по 10%  нажатием этих. Увеличение – совместно с клавишей  Shift. Марка транзистора для  исследования указана в таблице 3.

Рис 1 – Схема исследования полупроводникового диода

3.  Изменяя плавно с помощью реостата Rin, напряжение на затворе полевого транзистора убедиться, что ток стока меняется, что свидетельствует о правильной работе схемы.

4.  Установив,  и поддерживая при измерении неизменным с помощью Rout -напряжение на стоке транзистора равное сначала 5В, а затем 10В снять данные для стокозатворных характеристик полевого транзистора и занести значения в таблицу 1:

Таблица 1.

5.  Построить, используя миллиметровую бумагу на одних осях стокозатворные характеристики при U си = 2В и U си = 8В Ic=f (Uзи) при Uси = const

Используя ту же схему снять данные для построения стоковых характеристик полевого транзистора при 2-х различных значениях Uз (например, ОВ и -1В). Полученные значения величин занести в таблицу 2:

Таблица 2.

6.  Используя полученные данные, на миллиметровой бумаге на одних и тех же осях координат построить стоковые характеристики для Uзи=0В и Uзи=-1В.

7.  По выходным характеристикам полевого транзистора найдите его основные характеристики: крутизна характеристики передачи

S = dI_с / dUзпри   U_c = const;                        (1)

дифференциальное сопротивление стока (канала) на участке насыщения

Rвых = dU_c / dl_c при   Uз= const.            (2)

8.  Сделать вывод.

Таблица 3 – Марка транзистора (philips1)

ФОРМА ОТЧЕТА

1.  Краткое описание полевых транзисторов  

2.  Схема исследования  полевых транзисторов  

3.  Таблицы измеренных значений. Входные и выходные характеристики

4.  Вывод.

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1.  Назначение и область применения биполярных транзисторов

2.  Типы биполярных транзисторов, внутренняя структура

3.  Маркировка биполярных транзисторов

4.  Принцип работы биполярных транзисторов

5.  Схемы включения биполярных транзисторов

6.  Входная характеристика биполярных транзисторов

7.  Выходная характеристика биполярных транзисторов

8.  В  чем  принципиальное  отличие  между  биполярными  и  полевыми транзисторами?

9.  Чем объясняется высокое входное сопротивление полевых транзисторов?

10. В чем преимущества и недостатки полевых транзисторов по сравнению с биполярными?