Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы (категория РЭА – для эксплуатации в помещениях с искусственно регулируемыми климатическими условиями)

Следовательно, допустимый сигнал входов компаратора может приближаться к 7В.

Стабилитрон VD2, включенный в цепь выходного эмиттерного повторителя, сдвигает уровень выходного сигнала «вниз» на 6,2 В, чтобы сделать его совместимым с входными сигналами для цифровых ИС ТТЛ-типа. Транзистор VT9 изолирует выходную цепь от схемы смещения генератора тока входного каскада (транзистор VT5) с  компенсирующим диодом (транзистор VT10 в диодном включении). Транзистор VT7 (в диодном включении) ограничивает размах выходного сигнала в положительной области: при уровнях сигнала на выходе, больших +4В, транзистор VT7 открывается и замыкает дифференциальный выход второго каскада. Благодаря ограничению амплитуды значительно увеличивается быстродействие компаратора.

Компаратор типа 521СА2 прост в применении, но не имеет входов стробирования. Для компаратора применен один общий диод сдвига уровня и делитель смещения. Применение двухканального принципа позволяет реализовать более высокую степень интеграции, а также улучшить электрические параметры аппаратуры, особенно устройств считывания сигналов магнитной памяти.

3. Технические требования на разрабатываемую ИС.

Конструкцию микросхемы выполнить в соответствии с электрической принципиальной схемой по полупроводниковой технологии методом фотолитографии. Микросхема должна удовлетворять общим техническим условиям и удовлетворять следующим требованиям:

• Климатическое исполнение – для всех макроклиматических районов на суше, кроме макроклиматического района с очень холодным климатом(общеклиматическое исполнение)
• Для эксплуатации в помещениях с искусственно регулируемыми климатическими условиями, например, в закрытых отапливаемых или охлаждаемых и вентилируемых производственных и других, в том числе хорошо вентилируемых подземных помещениях(отсутствие воздействия прямого солнечного излучения, атмосферных осадков, ветра, песка и пыли наружного воздуха; отсутствие или существенное уменьшение воздействия рассеянного солнечного излучения и конденсации влаги)
• Предельная рабочая температура - +1 - +55
• Вид производства – серийное

4. Технология изготовления данной ИС.

Данную ИС предполагается изготавливать по полупроводниковой технологии методом фотолитографии с комбинированным методом изоляции элементов. Элементы ИС располагаются в пределах одной подложки на сравнительно небольших расстояниях друг от друга и формируются одновременно. Это обуславливает малый технологический разброс их параметров. Особенно высока точность выполнения соотношения параметров нескольких элементов. Эта получаемая точность сохраняется при изменении температуры окружающей среды, т.к. все элементы ИС работают практически при одной температуре.

Для изоляции элементов ИС применяется комбинированный метод(технологический процесс «Изопланар»). Данный метод представляет собой компромиссный вариант, сочетающий технологичность изоляции p-n-переходом и высокие качества изоляции диэлектриков. Здесь элементы ИС со стороны подложки изолированы обратно смещенным