Разработка схемы контроля, защиты и управления передатчиком

4.Разработка схемы контроля, защиты и управления передатчиком.

Мощные ВЧ транзисторы не имеют больших запасов по предельно допустимым параметрам в обычном эксплутационном режиме работы. Даже весьма кратковременное , небольшое превышение этих параметров приводит к снижению их надежности или к внезапному отказу.

Основные причины, нарушающие нормальную работу транзистора :

-потеря устойчивости ВЧ каскадов;

- вторая определяется импульсами перенапряжения, возникающими в цепях питания и приводящим к пробою p-n переходов транзистора,

-третья связана с изменением величины нагрузки, что особенно сказывается на режиме работы выходного каскада передатчика.

Для предотвращения воздействия перечисленных причин и повышения транзисторного передатчика в нем устанавливаются защитные устройства.

Можно обеспечить отсоединение источника питания передатчика с помощью электромагнитного реле.

В разрабатываемом устройстве контролируется температура p-n перехода выходного транзистора, которая однозначно связана с рассеиваемой мощностью на транзисторе.

С увеличением напряжения или тока протекающего в выходной цепи, температура p-n перехода возрастает, что в свою очередь, приводит к уменьшению смещения на диоде. В результате действия схемы происходит отключение напряжения питания от передатчика . Загорается светодиод “Защита“ . С охлаждением выходного транзистора происходит уменшение тока , протекающего через диод . Происходит обратный процесс и на схему передатчика подается питание.

Для защиты выхода передатчика от рассогласования с нагрузкой используем следующую схему :

Принцип действия:

В случае рассогласования возникают всплески тока коллектора. В случае превышения тока коллектора допустимого значения происходит пробой транзистора. Для предотвращения этого в цепь включается устройство состоящее из диодов и стабилитрона. При Iк>Iкдоп происходит открывание стабилитрона и импульсы сглаживаются за счет протекания тока через цепь стабилитрона .