Разработка структурной схемы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах, страница 2

·  Sтр = А/В = 1 – крутизна статической хар–ки,

·  Cн = 60 пФ – ёмкость КБ,

·  Cэ = 60 пФ – ёмкость ЭБ,

·  Ikдоп = 6 А – макс. допустимый ток коллектора,

·  Ukдоп = 50 B – макс. допустимое напряжение КЭ.

·  ½ Uбдоп ½ = 4 В – макс. модуль напряжения базы,

·  Lэ = 1,42 нГн – индуктивность вывода эммитера,

·  Lк = 1,6 нГн – индуктивность вывода коллектора,

·  fb = ft/B – граничная частота.

Пусть В = 30 – постоянный усреднённый по времени коэф-т усиления по току

fb = 900/30 = 30 МГц

Коэффициенты разложения косинусоидального импульса – нормированные отношения ряда Фурье. При q = 90° они находятся :

a1(90°) = 0.5  ,   a0 = 0.316

a1(Q) = g1(Q) = g1(p - Q) = 0.5

a0(Q) = g1(Q) = g0(p - Q) = 0.316

Запас мощности для компенсации потерь в целях согласования :

Пусть hц.с. = 0,8 – КПД цепей согласования. Тогда

P1 = Pвых/hц.с. = 30/0,8 = 37,5 Вт

 Зададимся

Ikмах = 0,9* Ikдоп = 0,9*6 = 5,4 А

Зададимся Eп при условии , что :

Eп <= Ukдоп/2 = 50/2 = 25 B

Пусть Eп = 25 В . Исходя из выше перечисленных параметров произведём расчёт :

1.   Нормированная высота импульса коллек. тока :                                                                                             Jкр = 0,5 – 0,5 (1 – 8Р1/a1(Q)*Sкр*Eкр2)1/2 = 0.4 A

2.   Коэффициент напряжённости режима :                                        xкр = 1 - tкр = 1 – 0.4 = 0.6

3.  Амплитуда первой гармоники коллекторного тока :                                                  

Iк1 = a1(90°)*iкмах = 0.5*0.54 = 2,7 (А)

4.  Амплитуда первой гармоники коллекторного напряжения :                     Uк1 = xкр * Eк = 0.6*25 = 15 (В)

5.  Постоянная составляющая коллекторного тока :                             Iк0 = a0(90°)* iкмах = 0.318 * 5.4 = 1.717 (А)

6.  Мощность потребляемая от ист. питания :                                            P0 = Iк0* Eк = 1.717*25 = 42.93 (Вт)

7.  Мощность , рассеиваемая на коллекторе :                                       Pрас = P0 – P1 = 42.93 – 37.5 = 5.43 (Вт)                                       

Проверим на допустимую величину :                                              Pрас  < Pдоп  = 75 (Вт)

8.  Электронный КПД :                                                                            hэ = P1/ P0 *100% =87.35%

9.  Амплитуда управляющего заряда :                                                  Qу = iкмах/2pf1(1-cosQ) = 5.4/(2*3.14*900*106) = = 954.9*10-12  (Кл)

10.  Минимальное мгновенное напряжение на эммитерном переходе :                                                                                    Uэmin = Uотс – Qу/Cэ*(1 – cos(p+Q)) = -0.394 (B)

Проверка : |Uэmin| < Uбдоп = 4 В

11.  Постоянное напряжение на эммитерном переходе :               Uэпо = Uотс - g0(p-Q)Qу/Cэ =                                  = 0.6 – 0.318 *954.9/800 = 0.42 (B)

12.  Сопротивление нагрузки :                                                                 Rн = Uк1/Iк1 = 15/2.7 = 5.556 (Oм)

13.  Коэффициент умножния :                                                              x = 1 + g1(Q)*2pfmCк*Rн = 1.942

14.  Амплитуда первой гармоники суммарного тока :                         Iб1¢= 2pfQу*x=2*3.14*400*106*9.5*10-10*1.9= = 4.66 (A)

15.  Для восстановления симметр. , косинусоидальной формы импульсов iн(t) парал. Входу транзистора подключаем корректирующий резистор :                                                            R3 = 1/2pfbCэ = 6,63 (Ом)

16.  Часть выходной мощности потреблямая в R3 :                 Pвх¢ =1/2* g1(p-Q)Qу2/( R3 - Cэ2 ) = 0,0554 (Вт)

17.  Входное сопротивление :

Rвх = g1Q2p fmCэ/x = =0.5*2*3.14*0.03*0.24/1.778 = 0.349 (Ом)

18.  Часть мощности в Rвх ,обусловленная прямым прохождением мощности в нагрузку через Lэ :                                       Pвх = Iбэ2*Rвх/2 = 3,796 (Вт)

19.  Суммарная мощность расходуемая в сопротивлениях R3 и Rвх :                                                                                                  Pвх = Pвх¢ + Pвх = 0.054 + 3.796 = 3.85 (Вт)