4.6 Принципиальная схема кварцевого автогенератора
5. Электрический расчет отдельных блоков
5.1. Расчет кварцевого автогенератора
Транзистор будем выбирать таким образом , что бы он работал на необходимой нам частоте 85 МГц и обеспечивал необходимую нам выходную мощность. После непродолжительных поисков мы остановились на транзисторе типа КТ 315Б. Его параметры:
Обратный ток коллектора при UКБ = 10 В 1 мкА;
Обратный ток эмиттера при UЭБ = 5 В 30 мкА;
Выходное сопротивление h11Б 40 Ом;
Коэффициент передачи тока h21Э 50…350;
Выходная полная проводимость h22Б 0.3 мкСм;
Режим измерения h- параметров:
напряжение коллектора UК 10 В, ток коллектора IК 1 мА;
Граничная частота коэффициента передачи fгр 250 МГц;
Емкость коллекторного перехода СК 7 пФ;
Постоянная времени цепи обратной связи τК 300 пс;
Максимально допустимые параметры постоянное напряжение коллектор – эмиттер UКЭ MAX 15 В;
постоянный ток коллектора IК 100 мА;
рассеиваемая мощность без теплоотвода РMAX 150 мВт;
Диапазон рабочих температур +100…-55˚С.
Схема автогенератора представлена на рис.4.6.
Необходимую стабильность частоты обеспечиваем с помощью кварцевого резонатора.
Автогенератор представляет собой емкостную трёхточку, которая образована транзистором VT1, кварцевым резонатором ZQ1, выполняющим роль индуктивности , и конденсаторами С2 и С3. Резисторы R1, R2, R3 обеспечивают внешнее и автоматическое смещение для транзистора. Конденсатор С1 служит для блокировки резистора R3 на рабочей частоте, что исключает отрицательную обратную связь. Дроссель L к включен для того, чтобы не зашунтировать трёхточку через источник питания Eк.
Произведем расчёт по постоянному току.
Задаём постоянную составляющую коллекторного тока IК0,напряжение между коллектором и эмиттером ЕКЭ и напряжение на эмиттере ЕЭ исходя из рекомендаций, в которых IК0 = (3 …10) mA,
ЕКЭ = (3…10) B и ЕЭ = (2…3) B.
IК0 = 5 mA, ЕКЭ = 7 B и ЕЭ = 2 B.
Рассчитываем сопротивление автосмещения в эмиттерной цепи:
R3 = ЕЭ / IК0=2/0,005=400 Ом . (5.1.1)
Рассчитываем напряжение источника питания:
EK = ЕКЭ + ЕЭ =7+2= 9 B. (5.1.2)
Определяем ток базы:
IБ0 = IК0 /β0 = 50 мкА , (5.1.3)
где β0 – коэффициент передачи тока транзистора.
Задаём ток делителя напряжения цепи фиксированного смещения:
IДЕЛ = (10…20) ∙ IБ0 = 500 мА . (5.1.4)
Определяем сопротивление делителя напряжения:
RДЕЛ = R1 + R2 =EK / IДЕЛ = 18 кОм . (5.1.5)
Определим напряжение смещения на базе транзистора:
ЕБ = ЕЭ +0.7 = 2.7 В . (5.1.6)
Найдем значения сопротивлений R1 и R2
R1 = ЕБ / IДЕЛ = 5.4 кОм, (5.1.7)
R2 = RДЕЛ – R2 = 12.6 кОм. (5.1.8)
Произведем расчёт по переменному току.
Определяем крутизну транзистора:
S = , (5.1.9)
где - высокочастотное сопротивление базы, - сопротивление эмиттерного перехода.
= τК / СК = 42.85 Ом , (5.1.10)
где τК – постоянная времени цепи обратной связи, СК – ёмкость коллекторного перехода. Подставив значения в формулу 5.1.9 получим:
S = 178 мА/В . (5.1.11)
Зададим коэффициент регенерации GP = (3…7) = 5 и определим управляющее сопротивление
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.