Текстовый материал к презентации по теме: ”Интегральные микросхемы”

выполняются гибкими проволочными выводами или жесткими выводами в виде шариков или столбиков.

По функциональному назначению ИМС подразделяются на более полутора десятков групп: генераторы, детекторы, коммутаторы и ключи, логические элементы, модуляторы, схемы задержки, триггеры, усилители, фильтры, формирователи и др. Внутри каждой функциональной группы имеются различные виды, для каждого из которых нормируются свои параметры. Вместе с тем для ИМС можно выделить некоторые общие параметры. Для аналоговых ИМС это: коэффициент усиления по напряжению  k_U , входное сопротивление  R_вх , выходное сопротивление R_вых , максимальное выходное напряжение U_{вых.макс} , границы частотного диапазона f_H (нижняя) и f_H (верхняя рабочая частота). Для импульсных ИМС нормиуются напряжение логической единицы U¹ , напряжение логического нуля U⁰ , коэффициент объединения по входу k_об , коэффициент разветвления по выходу k_раз и другие.

Технология изготовления

схему останется всего лишь теорией :-). Именно металлизация — процесс получения на поверхности кристалла определенной конфигурации Даже самая совершенная технология без правильного и надежного соединения отдельных элементов в единую проводящих дорожек и контактных площадок — поможет вам воплотить ваши знания в жизнь. Первые служат для связи различных областей (элементов) кристалла в единую электрическую схему. Контактные же площадки применяются для соединения кристалла с выводами корпуса и контроля электрических параметров перед окончательной сборкой микросхемы.

В качестве основного (широко используемого) материала в процессе металлизации используют алюминий (реже медь и драгоценные металлы, например, золото, серебро или платину). Алюминий выбрали не зря: он имеет не очень высокую температуру плавления (~700°C), хорошую электро- и теплопроводность, устойчив к коррозии, а главное — именно этот металл обеспечивает нужную дешевизну технологического процесса.

Металлизация бывает однослойной и многослойной. В первом случае металл располагается в один слой (в одной плоскости), при этом токоведущие дорожки не могут пересекаться. Однако это накладывает весьма существенное ограничение на конфигурацию токопроводящих дорожек и, как следствие, сужает возможности конструируемой схемы. Решением проблемы стала та самая многослойная металлизация, при использовании которой дорожки могут располагаться в разных плоскостях ( рис. 1). Такой подход позволяет в значительной степени упростить конфигурацию дорожек и обеспечить большую гибкость при построении контактных линий.

И вот как только процесс металлизации завершен (проведены контактные дорожки), микросхема может работать. Но она еще не готова окончательно: как вы помните, на одной подложке размещаются тысячи кристаллов (микросхем) и их нужно разделить