Устройства электропитания радиоэлектронной аппаратуры, страница 3

Напряжение, отфильтрованное этим фильтром, передается из цепи базы в цепь нагрузки без усиления. Ток в цепи базы меньше тока в эмиттерной цепи в 1/(1 — а) раз. Поэтому выходное сопротивление такого фильтра (при r _б=0, r_э=0) больше сопротивления конденсатора С_б в (1—а) раз.

Приведем основные расчетные соотношения для фильтра, определяемые из его эквивалентной схемы.

Максимальный коэффициент фильтрации (при r_б = 0)

               Коэффициент передачи напряжения

Максимальный коэффициент сглаживания фильтра

Сопротивление резистора входной фильтрующей цепи

Выходное сопротивление фильтра с учетом величин r_в и r_э

Видно, что коэффициент Кф возрастает  при увеличении сопротивления Rб . Однако увеличение сопротивления Rб  =  Rб.ст     приводит к повышению напряжения на транзисторе     UDK  =URб +Uбэ увеличению мощности  Рк  и падению    к. п. д. фильтра  Для увеличения дифференциального сопротивления во входной цепи последовательно с резистором Rб можно включить дроссель L (рис- 7.3, а), у которого  Z_б >>Rб. Из-за больших размеров дросселя такие фильтры не находят применения.

Коэффициент сглаживания фильтра можно увеличить, применив двухзвенную фильтрующую цепь на входе (рис. 7.3, б) или составной транзистор (рис. 7.3, в), либо увеличив число звеньев (рис. 7.3, г).

Улучшить коэффициент фильтрации в схеме рис. 7.2, а можно, заменив резистор R_б высокоомным транзисторным двухполюсником, у которого   R_б  >> R_б .cт    (рис. 7.3, д). Цепь из стабилитрона Д и  резистора   R₂   образует   стабильный источник   напряжения   смещения для     транзистора     Т₂-     Через транзистор  Т₂ практически протекает постоянный ток, так как любое изменение тока через транзистор Т₂ приводит к изменению падения  напряжения   на   резисторе   R₁ следовательно, и  на  базе транзистора Т₂, и ток в цепи эмиттера   возвращается  почти к первоначальному значению. В качест-ве диода Д  применяют один или   несколько обычных диодов или стабилизаторов, включенных в прямом направлении . Вследствие того что дифференциальное сопротивление стабилитрона Д мало, на     нем будет малое падение напряжения от u_вх, и можно считать,  что база транзистора Т₂ и точка  б эквипотенциальны. Поэтому выходное сопротивление транзисторного двухполюсника (дифференциальное сопротивление между  точками а и б в схеме рис, 7.3, д), равное дифференциальному  сопротивлению R_б определится выражением

                               Ценным свойством высокоомного транзисторного двухполюсника является то, что его статическое сопротивление (для постоянной составляющей тока) значительно меньше дифференциального сопротивления.