Исследование биполярного транзистора (План проведения практического занятия по электронике № 3)

План

проведения практического занятия по электронике № 3

Тема: Исследование биполярного транзистора.

Содержание занятия:

1.  Осциллографический способ снятия ВАХ транзистора(файл vax_tran.ewb).

2.  Разобрать решение задачи 13.1.

3.  Снять входные характеристики заданного(*) биполярного транзистора Iб(Uбэ) при Uкэ=0 и заданном(**) напряжении Uкэ=5...20 В (файл vax1tran.ewb). Определить h-параметры:  h11=ΔUбэ/ΔIб  при заданном напряжении Uкэ и токе Iб; h12=ΔUбэ/ΔUкэ  при заданном токе Iб. Сравнить результаты расчета для различных транзисторов.

4.  Снять выходные характеристики заданного биполярного транзистора Iк(Uкэ) при изменении тока Iб=0...100 мА (файл vax1tran.ewb). Определить h-параметры:  h21=ΔIк/ΔIб  при заданном напряжении Uкэ; h22=ΔIк/ΔUкэ  при заданном токе Iб. Проверить полученное значение h21 по паспортным данным (Forward current gain coefficient). Сравнить результаты расчета для различных транзисторов.

5.  Составить транзистор по схеме Дарлингтона. Для составного транзистора определить коэффициент усиления по току.

6.  Познакомить студентов со схемой лабораторной установки (файл Транз_л2.ewb). Задать контрольные вопросы.

7.  Факультативно или домашнее задание. Решить задачи 13.11, 13.12, 13.13.

*Примечание 1. Задать тип транзистора для каждой бригады, например, по номеру компьютера.

**Примечание 2. Задать напряжение  Uкэ и ток Iб для каждого студента в зависимости от номера по списку N, например, Uкэ=N (В), Iб=N (мА).