Исследование полевого (униполярного) транзистора (План проведения практического занятия по электронике № 4)

План

проведения практического занятия по электронике № 4

Тема: Исследование полевого (униполярного) транзистора.

Содержание занятия:

1.  Осциллографический способ снятия ВАХ транзистора (файл vax_jfet.ewb).

2.  Разобрать решение задачи 13.2.

3.  Снять передаточные (стоко-затворные) характеристики заданного(*) полевого транзистора Iс(Uзи) при заданном(**) напряжении Uси =5...20 В (файл jfet_ch.ewb). Определить напряжение запирания транзистора, сравнить с  паспортными данными (Threshold - Порог). Определить крутизну характеристики  S=ΔIc/ΔUзи  при заданном напряжении Uси. Сравнить результаты расчета для различных транзисторов.

4.  Снять выходные (стоковые) характеристики заданного полевого транзистора Iс(Uси) при изменении напряжения Uзи (файл jfet_ch.ewb). Определить выходное (стоковое) сопротивление  Rc=ΔUси/ΔIс  при заданном напряжении Uзи. Сравнить результаты расчета для различных транзисторов.

5.  Определить коэффициент усиления по напряжению m=Rc*S. Сравнить результаты расчета для различных вариантов.

6.  Заменить транзистор МДП-транзистором со встроенным каналом (Depletion N-MOSFET), затем МДП-транзистором с индуцированным каналом (Enhancement N-MOSFET). Определить напряжение запирания транзисторов, сравнить с  паспортными данными (Threshold). Задать контрольные вопросы.

7.  Факультативно или домашнее задание. Решить задачи 13.14, 13.15.

*Примечание 1. Задать тип транзистора (N-Channel JFET) для каждой бригады, например, по номеру компьютера.

**Примечание 2. Задать напряжения  Uси и Uзи для каждого студента в зависимости от номера по списку N, например, Uси=N (В), Uзи=-0.1*N (В).

Словарь:

FET  (Field Effect Transistor) - полевой транзистор

JFET (Junction Field Effect Transistor) - полевой транзистор c p-n-переходом

MOSFET  (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) - полевой транзистор с МОП (металл-оксид-полупроводник) структурой затвора

Depletion(истощение) N-MOSFET  - транзистор обедненного типа с каналом n-типа

Enhancement (обогащение) N-MOSFET  - транзистор обогащенного типа с каналом n-типа

Source – исток

Drain – сток

Gate – затвор

Slope– крутизна характеристики

Voltagegain – коэффициент усиления  напряжения