Литературных данных предлагается провести новую комплексную пробу по кристаллам 544УД15, направленную на повышение выхода годных учитывая следующие технические моменты:
- Окисление паровое р-n переходов а именно:
Т=1000 оС вместо 1100 оС
- после внедрения примеси ионным легированием проводить низкотемпературный (700-900 оС) активационный отжиг в атмосфере сухого кислорода или азота с добавкой 1% кислорода.
- все высокотемпературные разгоночные отжиги (Т=1150; 1200 оС) проводить в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода.
- на всех высокотемпературных отжигах использовать форсажи с температурой 800 оС при этом скорость подъема температуры должна быть не более 6 оС/мин., а снижения – не более 4 оС/мин.
2. Формирование ступеньки на n+ скрытом слое, которое проводится с использованием режима 28 по 103ТК2 предлагается проводить после длительного отжига n-скрытых слоев в течение 20 часов. Это позволит устранить быстрое распространение фронта окислителя в кремнии и соответственно снизить концентрацию центров зарождения ОДУ в этих областях.
3. Для снижения плотности ОДУ и кристобалитов, полос на поверхности скрытых слоев предлагается заменить на заготовительном маршруте диффузии сурьмы и бора из пленок на ионные легирования мышьяком и бором в скрытые слои с соответствующей корректировкой режимов отжига. Данные решения позволят дополнительно улучшить внешний вид (устраняются два блока) процессов с нанесением и снятием ХСЛ
4. Для увеличения Uкэ npn транзистора до значений до значений аналога и снижения утечек на подложку в тепле, с учетом результатов дообследования шлифов аналога предлагается ввести дополнительное подлегирование всей поверхности до эпитаксии бором малой дозы( ≈0,3 мкКл/см2) и увеличить толщину эпитаксии до 17 мкм при сохранении ρ эпитаксии = 3,5 Ом . см и отодвинуть p-n переход карман-подложка на 3 мкм от достаточного дефектной границы подложка-эпитаксия. Данное техническое решение позволит получить Uкэ npn транзистора = 53 В.
5. Допустить по аналогии с опытом работы по 544УД1 на операции 1 в n-скрытый слой ионное легирование фосфором в чистый кремний без прослойки оксида.
6. Для компенсации увеличения толщины эпитаксии принятое в предыдущем пункте проводится увеличение Т отжига р-коллектора с 6 до 14 часов. В этом случае р-скрытый слой и р коллектор pnp соединяются и устраняется искажение положения фигуры совмещения на фотошаблон 4ф/л с «+13» до «+16» мкм.
7. Проводившееся в предыдущих приборах подлегирование n+ и p+ контактов (для снижения брака по UI0 и ΔUI0) активационным отжигом при 1000 оС после нанесения нитрида приводило к резкому снижению порога паразитного МДП транзистора (≈ на 15 В.). На данной пробе формирования контактов предлагается проводить до формирования рабочего полевого транзистора и нанесения нитрида, что позволит исключить уменьшение порога паразитного МДП транзистора. Это позволит избежать чрезмерного увеличения толщины межслойного, термического и газофазного окислов и приблизиться к толщинам окислов аналогов.
8. Для резкого уменьшения плотности структурных дефектов, возникающих в конце маршрута, браков по Icc > N, UI0 > N предлагается использовать результаты 441 пробы в части формирования р базового слоя с помощью ИЛБ и отжигов p и n базового слоев в атмосфере азота+1%О2. Такое формирование наряду с окислением при Т=1000оС позволяет устранить аномальные форсажи со скоростью подъема и снижения температуры более нормативного которое и приводит к повышенной плотности структурных дефектов.
Ведущий технолог И.А.Гормолысова
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
