
Принципиальная схема подключения сенсора к операционному усилителю.
На рисунке изображена схема одного из вариантов подключения, на основе ОУ AD820N, где выход сенсора подключается к вычитателю, который получает выходной сигнал относительно земли, а потом усилитель усиливает его.
Коэффициент усиления ОУ считается по формуле:
![]()
По этой формуле подбираются соответствующие резисторы:
|
|
|
необходимый коэффициент усиления |
|
|
То есть выбираем резисторы R7=175K, R8=50(Ом). Это дает K= 3501, что в итоге увеличит максимальный выходной сигнал 1.3E-3 В до 4.702(В). Этого будет достаточно для точной оцифровки при опорном напряжении 5В. Также обеспечивается небольшой запас напряжения под погрешность резисторов и индикации зашкаливания в ходе работы сенсора. После усилителя выход подключается к АЦП, компаратору или другому устройству, которое работает с аналоговыми сигналами от 0 до 5 В.
Топология датчика
На рисунке представлена схематичная топология одной термопары:

Большой квадрат – чип целиком. Большой круг – мембрана, маленький - зачерненная область.
Все термопары соединяются в батарею при помощи алюминиевой разводки и выход выносится за мембрану для создания контактных площадок:

Схематичная топология датчика. Отступ от зачерненной области 10 мкм. Черное - поликремний, белое-алюминий.
На рисунке приведены всего четыре термопары, но на деле их следует изготовить больше.
Технологический маршрут изготовления сенсора
Этапы изготовления Данного сенсора:
Подложка КЭФ-4.5 толщиной 380 мкм плоскость (100)
1) Двухстороннее термическое окисление подложки
2) Осаждение пленки поликристаллического кремния путем пиролиза силана
3) Нанесение поликремния.
4) Фотолитография и травление поликремния, для получения поликристаллического слоя для термопар.
5) Нанесение пленки оксида кремния и фотолитография для контактов термопар
6) Напыление алюминия с последующим его травлением (формируется алюминиевая разводка)
7) Травление не планарной стороны кремния для формирования мембраны нужной толщины (травитель - KOH)
8) Нанесение сажи для формирования зачерненной области
Листинг расчетов в MathCAD
|
КОНСТАНТЫ |
|
|
|
|
|
радиус мембраны |
|
|
|
|
|
радиус зачерненной части |
|
|
|
|
|
толщина мембраны |
|
|
|
|
|
падающий поток излучения |
|
коэффициент теплопроводности кремния |
|
|
|
|
|
от этого коэффициента решение не зависит |
|
|
|
|
|
РЕШЕНИЕ ДЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПЕРЕГРЕВА |
|
|
|
|
|
Приведенные функции Бесселя |
|
|
|
|
|
эйлерова постоянная |
|
Формула Макдональдса: |
|
|
|
Дополнительные функции |
|
|
|
|
|
решение для зачерненной области |
|
|
|
|
|
решение для области с термопарами |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
общее решение |
|
|
|
РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО СИГНАЛА ТЕРМОПАР |
|
|
|
коэффициент термо ЭДС |
|
|
|
|
|
|
|
количество термопар |
|
|
|
|
|
максимальная мощность разогрева |
|
|
|
выходной сигнал сенсора |
|
|
|
|
|
|
|
максимальный выходной сигнал |
|
|
|
|
|
чувствительность сенсора |
Заключение
В данной работе разработан сенсор плотности теплового потока для лазерного излучения. Рассмотрены основные принципы функционирования сенсоров теплового потока, также рассчитана схема усиления сигнала сенсора, схематично показана его топология и описаны этапы изготовления (технологический маршрут сенсора).
Список литературы
1) В.А.Гридчин, И.Г. Неизвестный В.Н. Шумский «Физика микросистем» том 2.
2) П.А. Коледов «Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок»
3) Конспект лекций.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.