
Принципиальная схема подключения
сенсора к операционному усилителю.
На рисунке
изображена схема одного из вариантов подключения, на основе ОУ AD820N, где выход
сенсора подключается к вычитателю, который получает выходной сигнал
относительно земли, а потом усилитель усиливает его.
Коэффициент
усиления ОУ считается по формуле:

По этой формуле подбираются соответствующие
резисторы:
необходимый
коэффициент усиления
|
То есть выбираем резисторы R7=175K, R8=50(Ом).
Это дает K= 3501, что в итоге увеличит максимальный выходной сигнал 1.3E-3 В до 4.702(В). Этого будет
достаточно для точной оцифровки при опорном напряжении 5В. Также обеспечивается
небольшой запас напряжения под погрешность резисторов и индикации зашкаливания
в ходе работы сенсора. После усилителя выход подключается к АЦП, компаратору
или другому устройству, которое работает с аналоговыми сигналами от 0 до 5 В.
Топология датчика
На рисунке представлена схематичная топология одной
термопары:

Большой квадрат – чип целиком. Большой круг – мембрана, маленький - зачерненная
область.
Все термопары соединяются в
батарею при помощи алюминиевой разводки и выход выносится за мембрану для
создания контактных площадок:

Схематичная топология датчика. Отступ от зачерненной области 10 мкм.
Черное - поликремний, белое-алюминий.
На рисунке приведены всего четыре
термопары, но на деле их следует изготовить больше.
Технологический маршрут изготовления сенсора
Этапы изготовления Данного сенсора:
Подложка
КЭФ-4.5 толщиной 380 мкм плоскость (100)
1) Двухстороннее термическое окисление
подложки
2)
Осаждение пленки
поликристаллического кремния путем пиролиза силана
3) Нанесение поликремния.
4)
Фотолитография и
травление поликремния, для получения поликристаллического слоя для термопар.
5) Нанесение пленки оксида кремния и
фотолитография для контактов термопар
6) Напыление алюминия с последующим его
травлением (формируется алюминиевая разводка)
7) Травление не планарной стороны
кремния для формирования мембраны нужной толщины (травитель - KOH)
8) Нанесение сажи для формирования
зачерненной области
Листинг расчетов в MathCAD
коэффициент
теплопроводности кремния
|
от
этого коэффициента решение не зависит
|
РЕШЕНИЕ ДЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПЕРЕГРЕВА
|
Приведенные
функции Бесселя
|
решение
для зачерненной области
|
решение
для области с термопарами
|
РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО СИГНАЛА ТЕРМОПАР
|
максимальная
мощность разогрева
|
максимальный
выходной сигнал
|
Заключение
В данной
работе разработан сенсор плотности теплового потока для лазерного излучения.
Рассмотрены основные принципы функционирования сенсоров теплового потока, также
рассчитана схема усиления сигнала сенсора, схематично показана его топология и
описаны этапы изготовления (технологический маршрут сенсора).
Список литературы
1) В.А.Гридчин,
И.Г. Неизвестный В.Н. Шумский «Физика микросистем» том 2.
2) П.А.
Коледов «Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок»
3) Конспект
лекций.