Оптическая и квантовая электроника: Методические указания к лабораторным работам № 1-4: Поглощение света в полупроводниках. Статические характеристики оптопар, страница 11

Резистивные оптопары характеризуются линейностью и симметричностью выходной характеристики, отсутствием внутренних ЭДС и низким уровнем шумов.

Недостатками резистивных оптопар являются их низкое быстродействие и существенная температурная зависимость параметров. Темновой ток фоторезистора обычно составляет единицы микроампер. Проводимость фоторезистора пропорциональна мощности излучателя, следовательно, модулируя ток через излучатель можно управлять проводимостью фоторезистора. Свойства фоторезистора не зависят от полярности напряжения, что позволяет включать их, при измерении постоянного или низкочастотного сигнала, в цепь с переменным напряжением. Эти оптопары применяются преимущественно в схемах коммутации люминесцентных индикаторов, схемах автоматической регулировки усиления, схемах межкаскадной связи ит.д.

Диодные оптопары работают в двух режимах:1) фотогенераторном и 2) диодном или преобразования тока. Диодные оптопары характеризуются высоким быстродействием, малыми темновыми токами в выходной цепи и высоким сопротивлением гальванической развязки. Применяются диодные оптопары как элементы гальванической развязки, элементы согласования периферийных линий с центральным процессором ЭВМ, а также низковольтного блока с высоковольтным; в схемах защиты от перегрузки и в качестве импульсного трансформатора.

3  Описание лабораторной установки и порядок выполнения работы.

1. Для исследования передаточной характеристики диодной оптопары собрать экспериментальную установку, схема которой представлена на рис. 4.1.

Рис.4.1. Принципиальная электрическая схема экспериментальной установки

2. Снять передаточную характеристику и построить график  I_BЫX=f(I_ВХ).

3. По графику определить коэффициент передачи по току оптопары в прцентах.

4  Контрольные вопросы.

1  Объяснить принцип действия и конструкции оптопар.

2  Основные параметры оптопар.

3  Принцип действия резистивной оптопары, её достоинства и недостатки.

4  Принцип действия диодной оптопары, её достоинства и недостатки.

5  Работа фотодиода в генераторном и диодном режимах.

6  Область применения оптопар.

Список литературы

1. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника - М.: "Высшая школа", 2001.- 572 с.
2. Гайслер В.А. Оптоэлектроника. Новосибирск, изд. НГТУ, 1999, 83с.
3. Величко А.А., Гайслер В.А. Оптоэлектронные приборы и системы. Новосибирск, изд. НГТУ, 2001, 84с.
4. Карлов Н.В. Лекции по квантовой электронике. - М.: "Наука", Гл. ред.физ.-мат. лит., 1988.- 336 с.
5. Колесников А.А., Дикарева Р.П. Приборы оптоэлектроники. Новосибирск, НГТУ, 1999г. Методическое пособие.
6. Колесников А.А., Дикарева Р.П. Белова Т.И. Оптоэлектроника. Новосибирск. НГТУ,1999г. Методическое пособие.
7. Верещагин И.К., Косяченко ЛА., Кокин С.М.. Введение в оптоэлектронику. М. Высшая школа, 1991г. 191с.
8. Игнатов А.Н. Оптоэлектронные приборы и устройства. М.ЭК ТРЕНДЗ, 2006г. 269с.

Дополнительный список

1. Звелто О, Принципы лазеров. М.: "Мир", 1984.- 400 с.
2. Ярив А. Введение в оптическую электронику. - М.: "Высшая школа", 1983.- 398с
3. Тарасов Л.В. Введение в квантовую оптику. - М.: "Высшая школа", 1987.- 304 с.
4. Рябов С.Г., Торопкин Г.Р., Усольцев И.Ф. Приборы квантовой электроники. - М.: "Радио и связь", 1985.- 280 с.
5. Носов Ю.Р. Оптоэлектроника,-М.: "Советское радио", 1989.-360 с.
6. Основы оптоэлектроники. Суэмацу Я., Катаока С.; Кисино К, и др.; Пер. с яп. М.: Мир, 1988.-288 с.
7. КейсиХ., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1981.- т.1 - 299 с. - т.2 - 364 с.
8. Р. Ханспенджер. Интегральная оптика, теория и технология. - М., Москва, Мир. 1985,380с.
9. Ю.А. Мухин. Приборы и устройства полупроводниковой оптоэлектроники.