а´в=25´50 h=62,5 мм SСТS0=195 см4
с=25 мм S0=16 см2 m=1962 г
Диаметр провода первичной обмотки:
мм для вторичной обмотки: 
мм
Диаметр провода с изоляцией: d143(ПЭЛ)=0,58 мм
D243(ПЭЛ)=1,71 мм
см2
Sа=KСТ´SСТ=0,93´12,19=11,334 см2
Число витков обмотки:
Коэффициент трансформации: 
W2=k´W1=0,1´1050=105
Проверка:
=95
=34
a – коэффициент неплотности: a1=1,1 a2=1,05
dК=1 мм – толщина материала каркаса
Число слоев обмоток: 
Толщина обмотки:
d1об=h1(d143+d43)+dпр=12(0,58+0,04)+0,25=7,69 мм
d2об=h2(d243+d43)+dпр=4(1,71+0,04)+0,25=7,259 мм где dИЗ – толщина изоляции между слоями
dПР – толщина прокладки между обмотками
dИЗ=0,04 мм dПР=0,25 мм
Общая толщина обмоток: 
dОБЩ=dК+d1ОБ+d2ОБ=1+7,69+7,25=15,94 мм с=25 мм с>dОБЩ
Расчет выпрямителя на нагрузку индуктивного характера
I0= IН=5 А
m=2 IПР.СР= I0/2=2,5 А
IПР.И.СР= I0=5 А
UОБР.И.П=1,5´U0=1,5´20=30 В
Выбираем диод с параметрами:
IПР.СР.max>2,5 А; IПР.И.max>5 А; UОБР.И.max>30 В
ДИОД Д-303 IПР.СР.max=3 А UПАД.ПР=0,35 В
IПР.И.max=9 А
UОБР.max=150 В
Для обеспечения непрерывного тока дросселя:
мГн
L=2Lmin=2´9,7´10-3=0,02 Гн
LI02=0,02-25=0,5 ГН´А2
По графику зависимости: VC=100
см3; 
Масса магнитопровода: Мм=VC´gC=850 г
gС=8,5 г/см3
Типоразмер: а+в=20´40 мм h=50 мм SСТ´S0=80 см4
с=20 мм S0=10 см2 m=1003 г
Напряженность постоянного магнитного поля:
А/см k0=0,25
Средняя длинна силовой магнитной линии магнитопровода:
см
Эффективная магнитная проницаемость магнитопровода:
mrэф=86 
зопт=1,17
%
зопт=1,6
см kс=0,93
Число витков обмотки дросселя определяется:
ЭДС во вторичной обмотке:
В
Амплитуда I-ой гармоники: 
(В)
Переменная составляющая: Uп=Uдр=0,707´Um1др=9,43 (В)
Величина магнитной индукции определяется:
Тл
Тл
B0+Bm=0,47 Тл
B0+Bm< BS
BS=1,7 Тл
Диаметр провода: 
мм
DИЗ(ПЭЛ)=1,71 мм
Проверка: 
Общая толщина обмотки:
dОБ=h(dИЗ+dИЗ)+dПР=9(1,71+0,04)+0,25=16 мм
dОБЩ=dК+dОБ=17 мм с=20 мм с>dОБЩ
Для фильтра:
LC=10(KСГЛ+1)/m2=77,5 Гн
КСГЛ=30
мкФ
Выбираем конденсатор с параметрами:
С>4565 мкФ UРАБ>40 В
Конденсатор К50-18
UНОМ=50 В с=4700 мкФ
 |
Рис. 3.2 – Принципиальная схема источника питания
В результате выполнения курсового проекта произведен анализ принципа действия электронной системы управления, выбрана элементная база, основой которой являются аналоговые и цифровые интегральные микросхемы. Поскольку интегральные микросхемы обладают высокой надежностью, малым потреблением энергии и обеспечивают выполнение заданных функций системы управления.
В соответствии с техническим заданием разработана структурная схема устройства, состоящая из четырех каскадов. Первый каскад – это нормирующие усилители, преобразующие уровни входных источников ЭДС к единому уровню в интервале от 0 до 1,98 В. Второй каскад – это операционные усилители. Третий каскад – это компараторы осуществляющие переход от аналоговой части схемы к цифровой. Четвертый каскад – это цифровое логическое устройство выполняющее заданную логическую функцию.
Произведен синтез элементов электрической принципиальной схемы и выполнен расчет каскадов аналоговой и цифровой части. В результате проведенных расчетов построена полная принципиальная схема электронной системы управления и приведен перечень ее элементов.
Для пояснения принципа работы схемы приведены временные диаграммы ее работы. Изменение напряжения источников ЭДС выбраны таким образом, чтобы в результате их линейного изменения на выходе схемы управления сигнал логического нуля изменился на сигнал логической единицы.
1. Титце У. Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. - Берлин, 1982,
2. Галкин В.И. и др. Полупроводниковые приборы: Справочник. - Мн. Беларусь,1995.
3. Свирид В.Л. Микросхемотехника аналоговых электронных устройств. -М.: Дизайн ПРО, 1998.
4. Алексеенко А.Г. и др. Применение прецизионных аналоговых микросхем. -М.: 1985.
5. Жеребятьев В.И. и др. Основы вычислительной техники. - Мн.: МВИЗРУ ПВО, 1982.
6. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник// Под ред. С.В. Якубовского. - М.: Радио и связь, 1989.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.