Экзаменационные билеты по дисциплине "Микроэлектроника" (Конструктивно-технические особенности ИМС, их разновидности (классификация). Расчет тонкопленочного конденсатора)

Билет 1- 1

Билет 3- 1

Билет 4- 1

Билет 6 (??) 1

Билет 7- 2

Билет 8- 2

Билет 10- 2

Билет 12- 2

Билет 14- 2

Билет 19- 2

Билет 23- 2

Билет 24- 2

Билет 25- 3

Билет 26- 3

Билет 27- 3

Билет 28?- 3

Билет 28?- 3

Билет 29- 3

Билет ??- 3

Билет ???- 3

Билет 1

1. Конструктивно-технические особенности ИМС, их разновидности (классификация)
2. Расчет надежности
3. Расчет эмиттерного резистора с изоляцией p-n переходом.

Билет 3

1. УГО ЭРЭ и ИМС и принципы маркировки.
2. Конструтивно-технологические особенности биполярного транзистора.
3. Рассчитать площадь и сопротивление минимального эпитаксиального резистора

Билет 4

1. Конструктивные элементы ГИС (характеристика)
2. Понятие физ. структуры в биполярных ИМС и ее параметры.
3. Расчет тонкопленочного резистора R=550 Ом из тантала (ρ_s , α_RKT )

Билет 6 (??)

1. RL элементы
2. Параметры физ. структуры  МДП  транзистора.
3. Определить размеры транзисторов и γ тонкопленочного конденсатора, есть с₀ , γ_с , U, E, α.

Билет 6

1. Основные характеристики линейных ИМС
2. Производство транзисторов ???

Билет 7

1. Основные характеристики нелинейных ИМС.
2. Основные характеристики и параметры диодов, построенных на п/п МС
3. Найти емкость конденсатора в полупроводниковой структуре.

Билет 8

1. Характеристика вспомогательных элементов в конструкции п/п ИМС.
2. ВАХ интегральных диодов и их взаимосвязь с физической структурой.
3. Рассчитать геометрические размеры тонкопленочного резистора R=770 Ом из нихрома и определить погрешность.

Билет 9

1. Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов
2. Варианты диодов на биполярных транзисторах
3. Найти минимальное сопротивление диффузионного резистора в эмиттерной области и занимаемую площадь. d=2мкм; r_S=10 Ом/квадрат; l_к=10 мкм

Билет 10

1. Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов с коэффициентом формы меньше 1.
2. Конструктивное исполнение диффузионных резисторов в БП ИПС
3. Рассчитать площадь и сопротивление эпитаксиального резистора с минимальными размерами и с изоляцией p-n переходом h_k =12мкм, d=2мкм, ρ_s = 6 кОм/□.

Билет 11

1. Расчет тонкопленочных резисторов сложной формы
2. Конструктивные варианты резисторов (пинч-резистор)
3. Рассчитать размеры и погрешность конденсатора C=350 пФ, С₀…

Билет 12

1. Расчет подгоняемых тонкопленочных   резисторов.
2. Конструктивное исполнение пинч-резисторов в биполярных ИМС.
3. Рассчитать параметры тонкопленочного конденсатора и погрешность. С=540пФ/мм², U=7B, γ_сo=0,04

Билет 13

1. Поверочный  расчет тонкопленочных резисторов
2. Проверочный расчет резисторов в БИМС-размер на шаблоне???
3. Определить размер и параметры конденсатора при C₀=1200пФ, g_с=…; U_pаб=…; Епр=…; a_с ….a_S

Билет 14

1. Расчет прямоугольного тонкопленочного конденсатора.
2. Изоляция p-n переходом (3 типа: диодная, базовой областью, коллекторной областью), конструктивные особенности.
3. Расчет площади и сопротивления эпитаксиального резистора с изоляцией p-n переходом.  h_k =12мкм, d=1мкм, ρ_s = 3 кОм/□.

Билет 15

1. Конструктивный расчет тонкопленочных конденсаторов
2. Характеристика диэлектрической изоляции элементов в БИМС
3. Опред. размеры и погрешность тонкопленочного резистора: R=1700 Ом, r_S=40 Ом/квадрат; DL=DB=0.01 мм; a_ТКР=-2,25*10^-4 1/⁰С

Билет 19

1. RC элементы
2. Конструктивный расчет конд. обратносмещ. (??)
3. Расчет диффузионного резистора в эммитерной области. d=3 мкм, ρ_s = 6 кОм/□, h_k=10мкм.

Билет 20

1. RL-элементы
2. Параметры физической структуры МДП-транзистора
3. Найдите размеры, погрешность тонкопленочного конденсатора C=…; g_с=…; U_pаб=…; Епр=…; a_с; С₀; DL, DB.

Билет 21

1. RLC элементы , принципы реализации и использования.
2. Основные характеристики и основные параметры МОП-транзистора.
3. Расчет диффузионного резистора.

Билет 22

1. Конструктивный расчет толстопленочного резистора
2. Принципы конструирования элементов БИ-МОП ИМС
3. Расчет тонкопленочных конденсаторов

Билет 23

1. Конструктивный расчет тонкопленочных конденсаторов
2. Моделирование элементной базы.
3. Определить геометрические параметры тонкопленочного резистора.

Билет 24

1. Оценка топологии ГИС.
2. Основные принципы  проектирования САПР.
3. Расчет тонкопленочного конденсатора.

Билет 25

1. Методика расчета размеров плат и типоразмера корпуса.
2. Кремниевая компиляция.
3. Определить min емкость конденсатора, построенного на p-n переходе К-Б, С^б₀ = 250 пФ/мм² , С^д₀=100 пФ/мм² ,D= 0,3мкм,h_б=5мкм.

Билет 26

1. Принципы построения коммутационной схемы элементов.
2. Перспективные направления в конструировании ИМС.
3. Определить параметры интегрального диода с взаимновстречным p-n переходом при d=3мкм и S=min площади эламента.

Билет 27

1. Функциональная электроника, принципы построения.
2. Методы оценки качества топологии
3. Расчет тонкопленочного резистора.

Билет 28?

1. Расчет паразитных связей гибридных ГИС
2. Конструкторская документация.
3. Рассчитать топологию диода на p-n переходе к-б. (d=5 мкм)

Билет 29

1. Методика расчет паразитных индуктивных связей.
2. Назначение и основные виды технических условий на ИМС.
3. Определить min емкость конденсатора, построенного на p-n переходе К-Б, С^б₀ = 150 пФ/мм² , С^д₀=100 пФ/мм² ,D> 0,5мкм.

Билет ??

1. Характеристика пассивных элементов п/п ИМС.
2. Эквивалентные схемы интегральных VT и VD.
3. ???

Билет ???

1. Конструктивный расчет толстопленочного резистора.
2. Принципы конструирования БИМОП; ИМС
3. Расчет тонкопленочного конденсатора.