Вопросы № 1-48 к экзамену по курсу «Электроника» (Электроника и микроэлектроника. Особенности интеграции в кремнии схем различных типов)

Вопросы к экзамену по курсу «Электроника» 2006/2007 уч.год,

1.  Электроника и микроэлектроника. Особенности интегральных схем и их классификация.

2.  Базовый маршрут создания n - МДП - транзистора.

3.  Базовый маршрут создания р - МДП - транзистора,

4.  МДП - транзистор: типы, обозначения, простейшая схемотехническая модель.

5.  Особенности топологического проектирования МОП-транзисторов.

6.  Принципы масштабирования МДП-транзисторов.

7.  КМДП-инвертор: принцип работы, схема, передаточная характеристика. 8. Методы изоляции элементов ИС. LOCOS-изоляция.

9.  Паразитные биполярные транзисторы в КМОП-технологии.

10.  Методы изоляции элементов ИС. Щелевая изоляция.

11.  Проектные нормы. Способы задания размеров и допусков.

12.  Основы лямбда-проектирования. Правила проектирования Мида—Конвей.

13.  Лямбда-проектирование контактных областей.

14.  Биполярный транзистор: типы, обозначения, режимы работы. Модель Эберса-Молла с ОБ.

15.  Базовый маршрут изготовления биполярного n-р-n транзистора,

16.  Эффект защелкивания в КМДП-схемах. Условия включения тиристорной защелки.

17.  Испытания микросхем на устойчивость к защелкиванию.

18.  Расчет напряжения удержания для паразитного тиристора.

19.  Предотвращение защелкивания. Охранные области.

20.  БиКМОП-схемы: основные характеристики, особенности технологического процесса.

21.БиКМОП-инвертор: схема, особенности характеристик.

22.Моделирование интегральных элементов. Физико-топологическая модель МДП-транзистора.

23.Программы схемотехнического анализа. Возможности программы PSPICE.

24.Алгоритмы экстракции схемотехнических параметров.

25.PSPICE-модель МДП-транзистора. Эквивалентная схема. Модель LEVEL=1, расчет и экстракция параметров КР и VTO.

26.PSPICE-модель МДП-транзистора. Эквивалентная схема. Модель LEVEL— 1, расчет и экстракция параметров LAMBDA, GAMMA.

27.PSPICE-модель МДП-транзистора. Эквивалентная схема. Емкости, связанные с окислом. 28. PSPICE-модель МДП-транзистора. Эквивалентная схема. Ёмкости р-п переходов.

29.PSPICE-модель МДП-транзистора. Эквивалентная схема. Модель LEVEL=2, учет эффектов короткого канала.

30.PSPICE-модель МДП-транзистора. Эквивалентная схема. Модель LEVEL=2, учет эффектов узкого канала.

31.PSPICE-модель МДП-транзистора. Эквивалентная схема. Модель LEVEL= 2, учет зависимости подвижности от электрического поля.

32.PSPICE-модель МДП-транзистора. Эквивалентная схема. Модель LEVEL=3.

33.Схемотехническая модель биполярного транзистора: модель Эберса-Молла с ОЭ. 34 Емкости в интегральном биполярном транзисторе.

35.  Параметры PSPICE-модели биполярного транзистора.

36.  Анализ биполярного транзистора по переменному току и малосигнальная модель.

37.Малосигнальная модель МДП-транзистора.

38.Диоды, используемые в интегральных схемах, аппроксимация диодных характеристик.

39.Диодное включение биполярного транзистора.

40.Диоды в КМДП-схемах. Защита от электростатического пробоя.

41.Резисторы в интегральных схемах. Типы, особенности характеристик, топология.

42.Конденсаторы в интегральных схемах. Типы, особенности характеристик, топология.

43.43- Межсоединения в интегральных схемах.

44.Гетероструктуры в полупроводниковой электронике.

45.Полупроводниковые лазеры. Гетероструктуры в оптоэлектронике.

46.  Принципы формирования и особенности КНС- и КНИ-структур.

47.Шумы в интегральных элементах. Шумы в подложке.

48.  Особенности интеграции в кремнии схем различных типов.