Вопросы № 1-54 к экзамену по дисциплине "Физика полупроводниковых приборов" (Структура и энергетическая диаграмма равновесного p-n перехода. Эквивалентная схема реального биполярного транзистора для малого сигнала)

1. Особенности ВАХ реального МДП-транзистора с длинным каналом (влияние неоднородности ОПЗ под затвором и потенциала подложки).
2. Влияние длины канала на пороговое напряжение МДП-транзистора при коротком канале.
3. Влияние ширины канала на пороговое напряжение МДП-транзистора при узком канале.
4. Эффект смыкания в канале МДП-транзистора. Расчет напряжения смыкания.
5. Эффект насыщения дрейфовой скорости носителей в канале МДП-транзистора. Модуляция длины канала(качественно).
6. Эквивалентная схема реального МДП-транзистора для большого сигнала
7. Эквивалентная схема реального МДП-транзистора для малого сигнала.
8. Устройство и принцип работы биполярного транзистора. Транзисторный эффект.
9. Режимы работы транзистора. Способы включения (ОБ, ОЭ, ОК) и их особенности.
10. Распределение токов в биполярном транзисторе (нормальный режим). Механизмы базового тока.
11. Модель идеализированного биполярного транзистора Эбельса и Молла. Эквивалентная схема.
12. Модель идеализированного биполярного транзистора Эбельса и Молла. Уравнения Эбельса-  Молла
13. Параметры. Модель идеализированного биполярного транзистора Эбельса и Молла:    

α_N  ,α_I , I_1S,I_2S,I_E0,I_C0,I^*_E0,I^*_C0  и их взаимосвязь.

36. Выходные характеристики идеализированного биполярного транзистора при включении по схеме ОБ.
37. Выходные характеристики идеализированного биполярного транзистора при включении по схеме ОЭ.
38. Расчет коэффициента переноса в биполярном транзисторе (бездрейфовое приближение). Время пролета через базу.
39. Расчет тепловых токов и эмиттерного  перехода и эффективности эмиттера в биполярном транзисторе(бездрейфовое приближение).
40. Особенности вырожденного эмиттера. Расчет эффективности эмиттера с учетом его вырождения.
41. Коэффициент усиления базового тока в биполярном транзисторе. Его зависимость от параметров структуры(размеров и степени легирования областей базы, эмиттера -качественно).
42. Частотные свойства коэффициента передачи эмиттерного тока  в биполярном транзисторе.
43. Импульсные свойства коэффициента передачи эмиттерного тока в биполярном транзисторе.
44. Частотные и импульсные свойства коэффициента усиления базового тока в биполярном транзисторе.
45. Диффузионные емкости в биполярном транзисторе.
46. Сопротивление базы и тела коллектора в биполярном транзисторе. Параметры структуры, определяющие эти сопротивления.
47. Эффект Эрли в биполярном транзисторе. Сопротивление коллекторного перехода r’_C в нормальном режиме работы и его  влияние на выходные ВАХ. Низкочастотная эквивалентная схема.
48. Эффект Эрли в биполярном транзисторе при включении по схеме ОЭ. Сопротивление коллекторного перехода в нормальном режиме работы r*_C  и его влияние на выходные ВАХ. Низкочастотная эквивалентная схема. Напряжение Эрли.
49. Эффект Эрли в биполярном транзисторе. Внутренняя обратная связь.
50. Зависимости коэффициентов α_N , β_N  от тока эмиттера в биполярном транзисторе(качественно).
51. Эффект оттеснения эмиттерного тока в биполярном транзисторе.
52. Эквивалентная схема реального биполярного транзистора для большого сигнала.
53. Эквивалентная схема реального биполярного транзистора для малого сигнала       (включение ОБ)
54. Эквивалентная схема реального биполярного транзистора для малого сигнала       (включение ОЭ)

Важнейшие вопросы

1. Выражения для токов дрейфа, диффузии.
2. Формулы для параметров ступенчатого p-n перехода.
3. Выражения для барьерной, диффузионных емкостей.
4. Граничные условия для низкого и высокого уровней инжекции.
5. Энергетические диаграммы для всех приборов.
6. Уравнение непрерывности – для электронов, дырок, биполярные.
7. Распределение  носителей в базе диода, транзистора.
8. ВАХ всех идеализированных приборов (формулы, рисунки).
9. Дифференциальное сопротивление p-n перехода.
10. Формулы для коэффициентов инжекции в п/п диоде, транзисторе.
11. Структуры всех типов.
12. Эквивалентные схемы всех приборов.
13. Коэффициенты передачи тока в биполярном транзисторе.
14. Время пролета через базу в п/п диоде, транзисторе.
15. Частотные и импульсные характеристики α , β в биполярном транзисторе