8) Крутизна статической характеристики коллекторного тока
, где
r′Б = 2 – сопротивление базы;
r′Э ≈ 0 – сопротивление эмиттера, тогда
9) Коэффициент разложения
, где
U′=0,7(В) – напряжение сдвига статической характеристики для кремниевых транзисторов;
ωГР=2π·fГР=2π·2·109=1,257·1010 (рад/с);
СЭ=200 (пФ);
А=0,65+0,15· ωГР·СЭ / S=0,65+0,15·1,257·1010·200·10-12 / 8,473=0,694;
В=0,67+ ωГР·СЭ / S=0,67+1,257·1010·200·10-12 / 8,473=0,967 , тогда
10) Для полученного γ1 из приложения 1 [4] находим
g1=1,4; cos(θ)=-0,342
11) Амплитуда тока базы
, где
СК = 12(пФ) – емкость коллекторного перехода, тогда
12) Модуль коэффициента усиления по току, приведенный к ЭГ:
Ki=IK1 / IБ1=0,472/0,197 = 2,402;
13) Пиковое обратное напряжение на эмиттере:
14) Составляющие входного сопротивления транзистора первой гармонике:
,
, где
LЭ=1,2 (нГн) – индуктивность эмиттерного вывода;
LБ=2,6 (нГн) – индуктивность базового вывода;
LК=2,4 (нГн) – индуктивность коллекторного вывода
СКА=6 (пФ);
15) Коэффициент усиления по мощности
КРоэ = Кi2·RK / rВХ1 = 2,4022·22,398 / 4,483 = 28,816;
16) Постоянная составляющая коллекторного тока
IK = IГ1 / g1(θ) = 0,478/1,4 = 0,342 (А);
17) Мощность, потребляемая от источника питания
Р0 = IK·UK0 = 0.342·12 = 4,1(Вт);
18) Коэффициент полезного действия
ηК = РВЫХ / Р0 = 2,5 / 4,1 = 0,61;
19) Входная мощность
РВ = РВЫХ / КР = 2,5 / 28,816 = 0,087(Вт);
20) Рассеиваемая мощность
РРАС = Р0 - РВЫХ + РВ = 4,1-2,5+0,087 =1,685(Вт);
21) Составляющие сопротивления нагрузки, приведенные к внешнему выводу коллектора в параллельном эквиваленте:
RH=21,337(Ом);
ХН=114,216(Ом);
1) Выходная цепь согласования (СЦ3):
f=174 (МГц)- частота;
RH=50 (Ом) – сопротивление нагрузки;
RВЫХ=24,34(Ом), ХВЫХ=114,22 (Ом)- выходное сопротивление выходного каскада;
Расчет [1, с. 64]
Применим П-образную CLC цепь.
R1=24,34 (Ом);
R2=50(Ом);
Далее нам необходимо выбрать R0 (Рис. 2), так как при расчете П-цепочку обычно представляют последовательным соединением двух Г-цепочек, где последовательно трансформируется сопротивление R2 в R0, а R0 в R1. Причем R0 надо выбрать в 3...5 раз меньше меньшего из R2 или R1.
Выберем R0 в 3 раза меньше R1.
R0=5 (Ом);
-сопротивление катушки L1;
-сопротивление катушки L2;
XL=XL1+XL2=10,569+15=25,569(Ом)- сопротивление катушки L;
L=XL / 2·3.14·f = 25,569 / 2·3.14·1,74·108=23,4 (нГн) - индуктивность катушки L;
- сопротивление конденсатора С1;
C1=1/(2·3.14·f·XC1) = 1/ (2·3.14·1,74·108· 12.934) = 70.754(пФ)
С учетом реактивности выхода транзистора уменьшаем емкость С1 на
- сопротивление конденсатора С2;
С2=1/(2·3.14·f·XC2) = 1/ (2·3.14·1,74·108· 16.667) = 54.909 (пФ)
Собственную добротность цепей согласования примем равной
QL = 100 – добротность катушки;
– КПД согласующей цепи;
QH=QL·(1-η1)= 100·(1-0.951)=4.856 – добротность нагруженного контура;
Ф1=n3·QH·(1-1/n2)=| n=2 |=19.46 – коэффициент фильтрации;
L=20·lg(Ф1)=20·1.289 = 25.783 (дБ) – ослабление контура;
По техническому заданию дано, что ослабление контура должно быть больше (-60 дБ). Чтобы это обеспечить, а также получить необходимое КПД увеличим количество цепей, включив их последовательно (рис.3).
Рис. 4.2. Цепь согласования.
L11=23.399 (нГн);
С11=75.754 (пФ);
С21=54.909 (пФ);
Расчет дополнительных контуров ведется аналогично расчету первого контура.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.