Рис. 5. Входная характеристика транзистора КТ3107А. Рис. 6. Выходные характеристики транзистора КТ3107А. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
14 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2.4 Расчет предварительных каскадов по переменному току. 2.4.1 Расчет предвыходного каскада. Расчет предвыходного каскада по переменному току отличен от расчета остальных каскадов предварительного усиления , т.к. он нагружен на каскад с ООС по току . Учтем это обстоятельство при расчете . Рассчитаем эквивалентное сопротивление в цепи коллектора транзистора , исходя из необходимого коэффициента усиления каскада :
Но для выбранной схемы включения транзистора ( см. рис. 7) , с учетом его нагрузки , данное сопротивление определяется параметрами элементов схемы следующим образом [ 2 стр. 108]:
- глубина обратной связи по току в следующем каскаде Для определения сопротивления Rк предвыходного каскада , выразим его из формулы и , подставив необходимые величины вычислим его : При таком сопротивлении обеспечивается коэффициент усиления каскада К = 13.5 . В цепи коллектора сумма всех сопротивлений должна быть равна 180 Ом (см. выше ) , поэтому сопротивление в цепи коррекции спада плоской вершины будет равно (см. рис.7 ) : Теперь рассчитаем время установления предвыходного каскада по формуле [ 2. стр. 108]: где τэ – эквивалентная постоянная времени , для выбранной схемы определяется по формуле :
Рассчитаем необходимые постоянные времени различных цепей , для чего определим сопротивление базы транзистора , используя постоянную времени цепи обратной связи τ :
Выражения для постоянных времени τi и τs имеют вид :
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
19 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Подставляя числовые значения , получаем эквивалентную постоянную времени τэ : Получаем время установления предвыходного каскада :
Это значение меньше допустимой величины для предварительных каскадов :
Рассчитаем входное сопротивление предвыходного каскада по следующей формуле [2.стр.106] : Рассчитаем входную емкость каскада по формуле [ 1. стр.106] : Как уже было указано выше , в данном каскаде процесс установления имеет монотонный характер , т.е. выброс в выходном сигнале отсутствует . Выбор емкостей в цепи связи в цепи эмиттера и в цепи эмиттерной коррекции осуществим после расчетов остальных каскадов . Рис. 7. Расчетная схема предварительных каскадов усиления . |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
20 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2.5 Полный расчет 2 – го , 3 – го и 4 – го предварительных каскадов . Данные каскады абсолютно идентичны и выполнены по одной и той же схеме , что позволяет провести расчет каскадов по одной и той же методике , при этом все параметры этих каскадов будут одинаковы . Как уже было указано выше , расчет этих каскадов по постоянному току полностью совпадает с расчетом предвыходного каскада т.к. параметры элементов стабилизации не зависят от параметров нагрузки , поэтому для данных каскадов принимаем ( см. расчет схемы температурной стабилизации тока покоя транзисторов предварительных каскадов ) : Нагрузкой данных каскадов будут являться их входное сопротивление и емкость , поэтому режим работы транзисторов по переменному току несколько изменится . Рассчитаем характеристики каскадов с учетом этого обстоятельства : Эквивалентное сопротивление в цепи коллектора транзистора , исходя из необходимого коэффициента усиления каскада будет равно : Для выбранной схемы включения транзистора ( см. рис. 7) , с учетом его нагрузки , данное сопротивление определяется параметрами элементов схемы следующим образом [ 2 стр. 106]: Для определения сопротивления Rк предварительных каскадов , выразим его из формулы , приняв в качестве сопротивления нагрузки входное сопротивление данных каскадов ( оно равно рассчитанному выше входному сопротивлению предвыходного каскада ) , и вычислим его : В цепи коллектора сумма всех сопротивлений должна быть равна 180 Ом (см. выше ) , поэтому сопротивление в цепи коррекции спада плоской вершины (см. рис.7 ) будет равно : Время установления 2 – го , 3 – го и 4 – го предварительных каскадов можно вычислить по следующей формуле [ 2. стр. 108]: где τэ – эквивалентная постоянная времени , для выбранной схемы определяется по формуле : Рассчитаем необходимые постоянные времени транзистора и нагрузки , для чего определим сопротивление базы транзистора , используя постоянную времени цепи обратной связи τ :
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
21 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Выражения для постоянных времени τi и τн имеют вид : Суммируя полученные величины находим эквивалентную постоянную времени : Отсюда время установления 2 – го , 3 – го и 4 – го предварительных каскадов : Это значение меньше допустимой величины для предварительных каскадов : Входные параметры каскада не зависят от нагрузки и поэтому совпадают с параметрами предвыходного транзистора , тогда для всех предварительных каскадов : Выбор емкостей в цепи связи в цепи эмиттера и в цепи эмиттерной коррекции осуществим после расчетов остальных каскадов . 3. Расчет входного каскада . В качестве входного каскада с целью увеличения входного сопротивления усилителя используем эмиттерный повторитель ( схема общий коллектор ) с коррекцией спада плоской вершины ( см. рис. 8 ) . Чтобы не изменился режим работы транзистора , примем данном каскаде сопротивление резистора Rф равным 39 Ом , тогда сопротивление Rэ , будет равно : Рис. 8. Расчетная схема входного каскада . |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
22 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3.1 Расчет схемы температурной стабилизации тока покоя транзистора входного каскада . Как видно из схемы , в данном каскаде действует 100% - ая ООС по переменному напряжению , за счет этого схема имеет большое входное сопротивление . В этих условиях возникает необходимость пересчета параметров элементов схемы температурной стабилизации. Но т.к. положение рабочей точки транзистора не изменилось , то изменение дестабилизирующих факторов за счет температуры останется таким же . Поэтому произведем перерасчет величин Rб , Rб1 и Rб2 по тем же формулам [ см 1] :
Получаем сопротивления базового делителя :
В этом случае ток через делитель равен : 3.2 Расчет характеристик входного каскада по переменному току . Рассчитаем , коэффициент усиления , время установления , входное сопротивление и входную емкость эмиттерного повторителя по формулам , приведенным в [ 2. стр. 128]: Эквивалентное сопротивление для эмиттерного повторителя , нагруженного на каскад без ООС : Тогда коэффициент усиления по напряжению : Время установления эмиттерного повторителя : где τэ – эквивалентная постоянная времени , для выбранной схемы определяется по формуле : |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
23 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Выражения для постоянных времени τi и τs имеют вид : здесь Кпр – коэффициент усиления второго каскада . Подставляя числовые значения получаем : Получаем время установления каскада : Время установления весьма мало , что объясняется влиянием глубокой ООС и малым влиянием емкости нагрузки . Рассчитаем входное сопротивление каскада , которое и будет являться входным сопротивлением всего усилителя : Рассчитаем входную емкость каскада т.е. и всего усилителя вцелом : 4. Расчет вспомогательных цепей усилителя . Под вспомогательными цепями усилителя подразумеваем цепи коррекции спада плоской вершины и цепи связи . Необходимо рассчитать оптимальные значения емкостей в цепях эмиттера , цепях связи и цепях коррекции . Для этого оценим общий спад плоской вершины усилителя , задавшись следующими величинами емкостей в цепях эмиттера и цепях связи . Итак , пусть емкость всех разделительных конденсаторов , кроме входной равна 1 мкФ . Входная разделительная емкость может быть гораздо меньше из – за большого входного сопротивления эмиттерного каскада , примем ее значение равной 0.01 мкФ . Тогда общий спад за счет разделительных емкостей будет равен сумме спадов , создаваемых каждым каскадом [ см. 2. стр. 136 ] : Спад в каждом каскаде определяется следующими формулами [ см. 1. стр. 136 ] : |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
24 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Примем сопротивление источника сигнала Rг равным требуемому входному сопротивлению усилителя , т.е. 300 Ом и рассчитаем общий спад : Пусть емкость в цепи эмиттера каждого транзистора равна 50 мкФ , тогда спад плоской вершины за счет этой цепи будет равен : Для каждого каскада [ см. 2. стр. 136 ]: Подставив числовые значения получим : Суммарный спад во всем усилителе составляет : Данный спад необходимо компенсировать за счет цепей коррекции . Примем емкость в цепи коррекции каждого каскада равной 1 мкФ . Тогда подьем плоской вершины импульса можно определить по формуле :
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
25 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5. Расчет мощностей , рассеиваемых на резисторах и напряжений , действующих на конденсаторах усилителя . Для расчета мощностей , рассеиваемых на резисторах , необходимо знать средний ток , протекающий по данным резисторам . Для резисторов , стоящих в цепях коллектора и эмиттера , в качестве среднего тока можно использовать средний коллекторный ток транзистора . Ток , текущий через резисторы базового делителя определим по закону Ома . В результате вычислений получаем следующие значения мощностей , рассеиваемых на резисторах ( нумерация сопротивлений в соответствии со схемой ) : Как видно из расчетов , для всех резисторов , кроме R25 и R27 рассеиваемая мощность не превышает 0.125 Вт , что позволяет для этих сопротивлений применить класс резисторов с такой рассеиваемой мощностью . Для сопротивления R25 необходимо взять резистор с рассеиваемой мощностью не менее 1 Вт , для сопротивления R27 – 2 Вт . Напряжения , на которые должны быть рассчитаны конденсаторы , зависят от напряжения питания усилителя , поэтому конденсаторы С1 – C13 и С15 должны быть рассчитаны на напряжение не менее 9 В , конденсатор С14 – на напряжение не менее 90 В , а остальные конденсаторы – на напряжение не менее 80 В . |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
27 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Подставив числовые значения получаем : Рассчитаем суммарные характеристики усилителя . 1. Общий спад всего усилителя вцелом составляет : Эта величина является допустимой для данного усилителя . 2. Время установления усилителя : Данная величина меньше заданной в задании на проектирование . 3. Коэффициент усиления по напряжению : Полная характеристика усилителя ( на основе расчетных данных ) приведена в приложении к данному документу ( стр. 28 ) . |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Расчет импульсного усилителя . |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
26 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Поз. обозначение |
Наименование |
Кол. |
Примечание |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Резисторы |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R1 |
МЛТ - 0.125 - 5.6 кОм ±5% |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R2 |
МЛТ - 0.125 - 2.2 кОм ±5% |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R3 |
МЛТ - 0.125 - 39 Ом ±5% |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R4 |
МЛТ - 0.125 - 130 Ом ±5% |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R5 , R10 , R15 , R20 |
МЛТ - 0.125 - 2.4 кОм ±5% |
4 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R6 , R11 , R16 , R21 |
МЛТ - 0.125 - 560 Ом ±5% |
4 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R7 , R12 , R17 |
МЛТ - 0.125 - 43 Ом ±5% |
3 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R8, R9 , R13 , R14 |
МЛТ - 0.125 - 68 Ом ±5% |
4 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R18 , R19 , R22 , R24 |
МЛТ - 0.125 - 68 Ом ±5% |
4 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R23 , R28 |
МЛТ - 0.125 - 47 Ом ±5% |
2 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R25 |
МЛТ - 1.0 - 7.4 кОм ±5% |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R26 |
МЛТ - 0.125 - 750 Ом ±5% |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R27 |
МЛТ - 2.0 - 1.1 кОм ±5% |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R29 |
МЛТ - 0.125 - 700 Ом ±5% |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Конденсаторы |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
C1 |
К10 - 17б Н90 - 0.01 мкФ |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
C2 , C4 , C7 , C10 , C13 |
К50 - 16 - 10 - 1 мкФ |
5 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
C3 , C5 , C8 , C11 |
К50 - 16 - 10 - 1 мкФ |
4 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
C6 , C9 , C12 , C15 |
К50 - 16 - 10 - 50 мкФ |
4 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
C14 , C16 |
К50 - 16 - 100 - 1 мкФ |
2 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
C17 |
К50 - 16 - 100 - 50 мкФ |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Транзисторы |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VT1,VT2 ,VT3,VT4,VT5 |
КТ3107А |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VT6 |
КТ602А |
1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – Э1 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Импульсный усилитель.Спецификация |
Лит. |
Листов |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
у |
1 |
1 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||
Разраб. |
МихайловА.В |
РТ 5 – 03 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Провер. |
Дуркин В.В |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2.2 Расчет режима по постоянному току . 2.2.1 Расчет схемы температурной стабилизации тока покоя транзисторов предварительных каскадов . Расчет производим аналогично выходному каскаду по методике , приведенной в [3] . К дестабилизирующим факторам , влияющим на положение рабочей точки относят изменение коэффициента передачи транзистора по току , обратного тока коллектора н и напряжения . Целью расчета является определение оптимальных сопротивлений Rб1 и Rб2 во входном делителе . Для расчета необходимы следующие исходные данные : 1) Координаты рабочей точки : . , , , 2) Рекомендуемая относительная нестабильность тока покоя транзистора : 3) Диапазон изменения температуры окружающей среды : , 4) Диапазон изменения статического коэффициента тока базы в схеме с ОЭ: , 5)Обратный ток Iкбо : . 6) Тепловое сопротивление переход-окружающая среда. Определим максимальную и минимальную температуры перехода по формулам : здесь Pк – средняя мощность рассеиваемая на коллекторе , выразим ее через средний ток , текущий через коллекторную цепь : . где Подставляя данные получаем : |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
15 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Максимальную температуру перехода можно считать приемлемой , поэтому нет необходимости менять режим работы транзистора или применять теплоотвод . Для расчета необходимо определить эквивалентное сопротивление цепи стабилизации Rб по следующей формуле : В данную формулу входят неизвестные величины : , , , , найдем их . Определим изменение коэффициента передачи транзистора по току по формуле [далее см.1]: . где В итоге получаем : Определим среднее значение коэффициента усиления по току : Определим изменение напряжения : Определим изменение обратного тока коллектора по формуле , справедливой для кремниевых транзисторов : Определим входное сопротивление в рабочей точке: Определим полное изменение обратного коллекторного тока : Допустимое изменение коллекторного тока : |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
16 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Для получения достаточно большого сопротивления цепи стабилизации примем Теперь все необходимые для вычисления Rб величины найдены . Подставляя получаем : Рассчитаем сопротивления базового делителя :
Сопротивление резистора Rб2 рассчитаем по следующей формуле :
Ток через делитель , равный :
не превышает коллекторного тока в рабочей точке , поэтому расчет схемы стабилизации можно считать законченным . Т.к. во всех каскадах предварительного усиления режим работы транзисторов одинаков , то данный расчет верен для каждого из каскадов предварительного усиления . 2.3 Примерный расчет необходимого числа предварительных каскадов . Для определения необходимого числа предварительных каскадов по методике , приведенной в [ 2. стр. 48 ] нужно знать время установления и коэффициент усиления предварительных каскадов . При условии малого выброса в каждом каскаде , эти величины можно определить из следующих формул : здесь tу и K – время установления и коэффициент усиления всего каскада , tу.вх и Kвх - время установления и коэффициент усиления входного каскада , tу.вых и Kвых - время установления и коэффициент усиления выходного каскада соответственно . Т.к. расчет входного каскада еще не произведен , то вместо неизвестных величин необходимо взять приближенные . Для обеспечения достаточно высокого входного сопротивления усилителя применим во входном каскаде эмиттерный повторитель . Тогда его коэффициент усиления по напряжению примем равным 0.9 , а время установления пусть будет таким же как и у остальных предварительных каскадов . В этом случае получим :
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
17 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Далее по формуле , приведенной в [ 2. стр. 49 ] определяем добротность некорректированных каскадов предварительного усиления : Здесь rб – сопротивление базы , Ск – емкость коллектора , τ – постоянная времени транзистора. Для расчета по этой формуле берем из справочника следующие параметры транзистора КТ3107А: Подставляя значения для выбранного транзистора получаем : Находим произведение : По графикам , приведенным в [ 2. стр. 48 ] число некорректированных каскадов , при данном режиме работы транзистора и необходимых характеристиках усилителя , с учетом входного каскада равно четырем . Но в этом случае коэффициент усиления каждого каскада в отдельности ( кроме входного ) должен составлять : Для предотвращения самовозбуждения усилителя ограничим коэффициент усиления отдельного каскада до 20 . Тогда число каскадов предварительного усиления увеличится на один и станет равно пяти ( включая входной ) . В этом случае на каждый каскад ( кроме входного ) придется коэффициент усиления , равный : Допустимое время установления каждого предварительного каскада : Т.к. коэффициент усиления достаточно мал , то для предварительных каскадов (кроме входного ) выбираем некорректированный реостатный каскад , т.к. он имеет наименьшее время установления и монотонную переходную характеристику . |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КП - НГТУ – ХХХХХХХХ – 03 – ПЗ |
Лист |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
18 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Изм |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Министерство образования Российской Федерации Кафедра РП и РПУ . Курсовой проектпо предмету :
Схемотехника аналоговых электронных устройств . Тема : Усилитель импульсных сигналов . Факультет: РЭФ Группа: РТ5-03 Студент: Михайлов А.В. Преподаватель: Дуркин В.В Дата сдачи: Новосибирск 2002 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.