Механическая обработка нефольгированных заготовок (такая же, как операция 1).
2. Сверление технологических отверстий по кондуктору твердосплавными спиральными или быстрорежущими сверлами на настольных сверлильных станках. Для улучшения качества последующей металлизации производят зенковку отверстий, а также подтравливание диэлектрика в отверстиях.
3. Подготовка поверхности фольгированного диэлектрика: механическая зачистка или химическая обработка последовательно в щелочном моющем растворе и в мягком травителе для меди.
3а. Подготовка поверхности нефольгированного диэлектрика: матирование поверхности или нанесение тонкого адгезионного подслоя (пленочного адгезива на ламинаторе или жидкого адгезива на центрифуге, в том числе адгезива, уже содержащего каталитически активный металл).
3б. Химико-механическая очистка поверхности нефольгированного диэлектрика для вакуумной металлизации.
4. Формирование позитивного защитного рисунка полосковой платы: нанесение химически стойких эмалей методом трафаретной печати, или пленочных фоторезистов на ламинаторах, или жидких фоторезистов на центрифуге (либо на установках вытягивания). После нанесения фоторезиста (для формировании защитной маски) его подвергают сушке, экспонированию, проявлению, термодублению, при необходимости проводят ретушь.
Операции перечисляются вне зависимости от последовательности конкретных технологических процессов.
4а. Формирование негативного защитного рисунка платы.
5. Травление слоя меди номинальной толщины в кислотных или щелочных вителях, выбор которых зависит от химической стойкости применяемого фоторезиста; При выполнении защитной маски с помощью химически стойких мелов используют избирательный травитель для меди.
5а. Травление тонкого подслоя меди.
6. Удаление защитной маски фоторезиста.
7. Электролитическое осаждение антикоррозионных покрытий (Ag; Au; Pd и др.).
7а. Электролитическое осаждение антикоррозионного покрытия — резистивной маски при травлении рельефа по меди.
7б. Химическое осаждение антикоррозионного покрытия (Ni-Au).
8. Заключительная механическая обработка, включающая удаление технологических проводников и зачистку торцов платы.
9. Нанесение защитного лака ХВ с подслоем 10%-ного поливинилового спирта (ПВС) или эмали НЦ-134 на поверхность платы и сверление отверстий после формирования рисунка схемы.
10. Химическое осаждение тонкослойной меди с предварительной сенсибилизацией и активацией поверхности диэлектрика.
10а. Химическое осаждение меди до номинальной толщины.
10б. Сенсибилизация и активация поверхности диэлектрика.
11. Электролитическое доращивание меди до номинальной толщины.
12. Удаление защитного лака, нанесенного по операции 9. 13.Консервация платы канифольным составом.
14. Осветление защитного металлического покрытия.
15. Формирование подслоя, т. е. тонкослойная металлизация платы (операция 10), или приклейка тонкой фольги, или напыление металла по всей поверхности диэлектрика.
16. Декапирование подслоя - легкое подтравливание в пробельных местах фоторезистивной маски для проведения операций 10, 11.
При описании конкретных технологических циклов используем символическую запись последовательности выполняемых операций. Например, цикл состоит из резки заготовок, сверления отверстий
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.