МОП-транзистор с индуцированным каналом n-типа

Министерство науки и образования

Российской Федерации

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра ПП и МЭ

                          Курсовая работа

Тема: МОП-транзистор с индуцированным                                                                                                                                                                  каналом n-типа

Факультет :            РЭФ

Группа :                  РП4-33

Студент:                 Шевченко А.А.

Преподаватель :    Макаров Е.А.

Отметка о защите :

Дата:    9.12.2005

Новосибирск 2005

Министерство образования Российской Федерации

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра ______________________________________________________________________

ЗАДАНИЕ НА КУРСОВОЙ ПРОЕКТ (работу)

Студент______ШевченкоА.А._________Код_____________Группа_РП4-33____

фамилия, инициалы

1. Тема __МОП-транзистор с индуцированным                                                                                                                                  каналом n-типа______________________________________________________________________________________________________________________________________________________

1.  Срок предоставления проекта (работы) к защите

«___»_____________20  г.

3. Исходные данные для проектирования (научного исследования) _________________________

__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

4.  Содержание пояснительной записки курсового проекта (работы):

4.1.___________________________________________________________________________

4.2.___________________________________________________________________________

4.3.___________________________________________________________________________

4.4.___________________________________________________________________________

5. Перечень графического материала __________________________________________________

______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Руководитель проекта (работы) _________________           ___________________________

подпись, дата                                                      инициалы, фамилия

Задание принял к исполнению  __________________  «___» ________________ 20  г.

подпись

Министерство образования Российской Федерации

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовому проекту (работе) по ______________________________________________________

наименование учебной дисциплины

___________________________________________________________________________________

на тему: ___________________________________________________________________________

___________________________________________________________________________________

Автор проекта (работы)  _____________________________________________________________

подпись, дата, инициалы, фамилия

___________________________________________________________________________________

Специальность _____________________________________________________________________

номер, наименование

Факультет ___________________________________группа________________________________

Руководитель проекта ________________________               __________________________

подпись, дата                                                                                инициалы, фамилия

Проект (работа) защищен(а) ____________________ Оценка_______________________ дата

г. Новосибирск, 20  г.

Введение

МОП (металл-оксид-полупроводник) транзистор - разновидность МДП полевого транзистора  - полупроводникового прибора, в котором ток изменяется в результате действия, направленного нормально к поверхности полупроводника, электрического поля создаваемого сигналом. В МОП-транзисторах в качестве диэлектрика используется оксид; в кремниевом полупроводнике – обычно двуокись кремния SiO_2. В настоящее время МДП-транзисторы играют большую роль при создании БИС, СБИС.

Конструкция и принципы работы МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом